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회전하는 타겟에 미세 패턴을 가공하는 미세 패턴 금형 가공 시스템으로서,설정된 펄스폭의 레이저 빔을 생산하는 레이저 발진부;회전하는 폴리곤 미러를 포함하고, 상기 폴리곤 미러를 통하여 상기 레이저 빔을 베이스에 설치되는 타겟에 조사하여 설정된 선폭의 패턴을 가공하는 폴리곤 스캐너;상기 폴리곤 스캐너를 장착하고 상기 베이스에 설치되어 상기 타겟에 대한 상기 폴리곤 스캐너의 위치를 조절하는 스테이지;상기 레이저 발진부와 상기 폴리곤 스캐너 사이에서 레이저 빔의 경로에 설치되어, 상기 레이저 빔의 위치 및 각도를 제어하는 빔 안정기;상기 레이저 발진부를 제어하는 레이저 컨트롤러;상기 스테이지 및 상기 타겟을 제어하는 스테이지 컨트롤러;상기 폴리곤 스캐너를 제어하는 폴리곤 스캐너 컨트롤러; 및상기 레이저 컨트롤러, 상기 폴리곤 스캐너 컨트롤러, 및 상기 스테이지 컨트롤러와 연결되어 각각을 제어하는 메인 컨트롤러;를 포함하며,상기 레이저 컨트롤러는 상기 레이저 발진부의 마스터 오실레이터에서 발진되는 레이저 신호(seed clock)를 상기 폴리곤 스캐너 컨트롤러에 전달하고, 상기 폴리곤 스캐너 컨트롤러는 상기 레이저 컨트롤러에 동기신호를 전달하여, 상기 폴리곤 미러의 회전 속도, 상기 타겟의 회전 속도 및 상기 레이저 빔의 펄스는 상기 레이저 신호(seed clock)에 기초하여 동기화되어, 상기 타겟의 회전 방향의 가공 시작 위치 오차를 최소화하는 미세 패턴 금형 가공 시스템
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제1항에 있어서,상기 폴리곤 스캐너에서 상기 타겟에 조사되는 레이저 빔을 검출하는 빔디텍터를 더 포함하는 미세 패턴 금형 가공 시스템
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제1항에 있어서,상기 타겟은 롤로 형성되고,상기 타겟을 장착하여 고정 또는 회전시키는 척을 더 포함하는 미세 패턴 금형 가공 시스템
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제1항에 있어서,상기 레이저 빔의 파장은 1064nm 영역의 근적외선(NIR), 532nm 영역의 그린(Green) 및 355nm 영역의 자외선(UV) 중 하나인 미세 패턴 금형 가공 시스템
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제1항에 있어서,상기 폴리곤 스캐너는상기 레이저 빔을 10m/s ~ 100m/s의 속도로 상기 타겟에 주사하는 미세 패턴 금형 가공 시스템
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제2항에 있어서,상기 스테이지는,상기 베이스에 x축 방향으로 신장 배치되는 x축 방향 레일, 및상기 x축 방향 레일에 장착되고 y축 방향으로 신장 배치되며 상기 폴리곤 스캐너를 장착하는 y축 방향 레일을 포함하는 미세 패턴 금형 가공 시스템
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제6항에 있어서,상기 빔 안정기는,상기 레이저 빔을 반사시키는 미러, 및상기 미러를 작동시켜 주변 요인에 따라 레이저 빔의 흔들림을 안정시키는 액츄에이터를 포함하는 미세 패턴 금형 가공 시스템
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제1항에 있어서,상기 폴리곤 스캐너는,상기 타겟의 회전축 방향을 따라 이동하면서 단위 패턴을 연속적으로 가공하되, 상기 가공된 단위 패턴 간에 상기 회전축 방향으로 중첩되도록 레이저 빔을 조사하는 미세 패턴 금형 가공 시스템
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제8항에 있어서,상기 메인 컨트롤러는상기 폴리곤 스캐너 컨트롤러에 레이저 빔의 속도, 레이저 빔의 펄스폭, 레이저 빔의 펄스 반복율을 전달하는 미세 패턴 금형 가공 시스템
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제9항에 있어서,상기 메인 컨트롤러는상기 타겟에 가공하고자 하는 패턴의 이미지 정보를 상기 폴리곤 스캐너 컨트롤러에 전달하는 미세 패턴 금형 가공 시스템
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제10항에 있어서,상기 메인 컨트롤러는상기 폴리곤 스캐너의 이동에 따른 상기 타겟에 가공하고자 하는 패턴의 위치별 이미지 정보를 상기 스테이지 컨트롤러에 전달하는 미세 패턴 금형 가공 시스템
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제8항에 있어서,상기 레이저 빔은0
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