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기판 상에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 상에 무기 반도체층으로 이루어진 복수의 나노 와이어를 성장시키는 단계;상기 복수의 나노 와이어 상에 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층과 유연 기판을 결합시키는 단계;상기 희생층을 제거하여 상기 복수의 나노 와이어로부터 상기 기판을 분리시키는 단계; 및상기 기판 및 상기 희생층이 제거된 상기 복수의 나노 와이어 면에 제2 전극층을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 희생층을 형성하는 단계는, 상기 복수의 나노 와이어를 성장시키는 단계에서 상기 복수의 나노 와이어가 성장되는 온도보다 고온에서 상기 희생층을 형성하는, 유연 발광 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 희생층은,상기 무기 반도체층에 대해 높은 식각 선택비를 갖는 것을 특징으로 하는 유연 발광 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 복수의 나노 와이어를 성장시키는 단계는,상기 복수의 나노 와이어를 상기 희생층의 상면으로부터 직접(directly) 성장시키는 것을 특징으로 하는 유연 발광 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 복수의 나노 와이어를 성장시키는 단계는,상기 복수의 나노 와이어와 상기 희생층 사이에 질화층을 형성하지 않는 것을 특징으로 하는 유연 발광 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 복수의 나노 와이어는,상기 희생층 상에서 상기 기판의 결정 배향과 무관한 임의의 배향(random orientation)으로 성장되는 것을 특징으로 하는 유연 발광 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 복수의 나노 와이어를 성장시키는 단계 이후 상기 제1 전극층을 형성하는 단계 전에,상기 복수의 나노 와이어 사이에 절연층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 유연 발광 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 전극층과 상기 유연 기판을 결합시키는 단계는,상기 제1 전극층 상에 제1 접착 금속층을 형성하는 단계;상기 유연 기판 상에 제2 접착 금속층을 형성하는 단계; 및상기 제1 접착 금속층과 상기 제2 접착 금속층을 맞대어 가압하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 발광 소자의 제조 방법
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8
제7 항에 있어서,상기 제1 접착 금속층 및 상기 제2 접착 금속층은, 각각 Au층을 포함하고, 상기 제1 접착 금속층의 Au층과 상기 제2 접착 금속층의 Au층이 맞닿아 결합되는 것을 특징으로 하는 유연 발광 소자의 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 가압하는 단계는,150 ℃ 내지 250 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유연 발광 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 기판을 분리시키는 단계는,식각 공정을 통해 상기 희생층을 제거하는 것을 특징으로 하는 유연 발광 소자의 제조 방법
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