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금속 나노입자의 규칙배열 형성방법(Method of Forming Regular Array of Metal Nanoparticles)

  • 기술번호 : KST2017000079
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판 상에 금속 나노입자들을 형성하는 방법이 개시된다. 기판 상에 순차적으로 친수성 고분자층과 고분자 자기조립층을 형성한다. 고분자 자기조립층에 대한 용매-증기 어닐링을 수행하여 고분자 자기조립층을 매트릭스 영역과 가용성 영역으로 상분리한다. 상분리된 가용성 영역은 용매 또는 식각용액에 대한 선택성을 가지고, 패턴의 전사가 가능해진다. 이를 통해 기판 상에 친수성 고분자 패턴을 형성할 수 있으며, 형성된 패턴 또는 홀에는 금속 전구체를 포함하는 마이셀이 형성된다. 마이셀은 산소 플라즈마 식각을 통해 금속 나노입자로 형성된다.
Int. CL C08F 299/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B22F 9/24 (2006.01)
CPC B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01)
출원번호/일자 1020150088200 (2015.06.22)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0000009 (2017.01.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.24)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동현 대한민국 경기도 안성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0599743-07
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0610757-85
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2017-0025574-58
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0597345-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-1063064-35
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1063065-81
8 등록결정서
Decision to grant
2018.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0090357-98
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
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번호 청구항
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기판 상에 친수성 고분자층 및 고분자 자기조립층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 고분자 자기조립층에 대한 THF를 용매로 이용한 용매-증기 어닐링을 수행하여, 상기 고분자 자기조립층을 매트릭스 영역과 상기 매트릭스 영역에 대해 식각 선택성을 가지고, 도트 형상의 가용성 영역으로 분리하는 단계;상기 가용성 영역을 제거하고, 상기 매트릭스 영역을 잔류시키며, 상기 매트릭스 영역 내에 도트 홀들을 형성하는 단계;상기 잔류하는 매트릭스 영역을 식각 마스크로 이용하여 상기 고분자 자기조립층의 일부를 식각하여 도트 형태의 친수성 고분자 패턴을 형성하고 상기 기판의 일부를 노출시키는 패턴 홀들을 형성하는 단계;상기 패턴 홀 내에 금속 전구체를 포함하는 마이셀을 형성하는 단계; 및상기 마이셀에 대한 산소 플라즈마 식각을 통해 금속 나노입자를 형성하는 단계를 포함하고,상기 친수성 고분자층은 PVA(Poly(vinyl alcohol))를 포함하고, 상기 고분자 자기조립층은 PS-b-P2VP(Polystyrene-block-Poly(2-vinylpyridine) copolymer)를 포함하며,상기 마이셀은 PS-b-P4VP(Polystyrene-block-poly(4-vinylpyridine) copolymer)를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 형성방법
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제5항에 있어서, 상기 용매-증기 어닐링은 10℃ 내지 100℃의 온도로 상기 THF를 상기 고분자 자기조립층에 증기의 형태로 공급하여 상분리를 유도하는 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 형성방법
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제5항에 있어서, 상기 마이셀은 상기 PS-b-P4VP(Polystyrene-block-poly(4-vinylpyridine) copolymer)에 금속 전구체가 화학적으로 결합된 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 형성방법
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제5항에 있어서, 상기 THF는 PS를 용해시키고, 분자 결합이 끊어진 P2VP는 응집되어 상기 도트 형상의 가용성 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 형성방법
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1 경기도 단국대학교 GRRC 고효율 차세대 형광 OLED 소자 및 태양전지 소자 개발(7/9)