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기판;상기 기판 상에 마주보되, 일단이 서로 중첩되도록 형성된 제1, 제2 이차원 반도체 물질;상기 제1 및 제2 이차원 반도체 물질 타단에 각각 형성된 제1 및 제2 전극; 및상기 제1 및 제2 이차원 반도체 물질을 포함한 기판 표면을 덮도록 형성된 봉쇄층;을 포함하는 p-n 다이오드
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 이차원 반도체 물질은 각각 전이금속 디칼코게나이드인 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드
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3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 이차원 반도체 물질은 WSe2이고,상기 제2 이차원 반도체 물질은 MoS2인 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드
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4
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 이차원 반도체 물질은 각각의 두께가 평균 1 내지 7 ㎚인 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드
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5
제1항에 있어서,상기 기판은 SiO2/p+-Si 또는 유리 기판인 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드
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6
제1항에 있어서,상기 제1 이차원 반도체 물질은 테이프 박리법 또는 고분자 스템프를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드
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7
제1항에 있어서,상기 제2 이차원 반도체 물질은 고분자 스템프를 이용한 박리법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드
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8
제1항에 있어서,상기 봉쇄층은 불소계 수지인 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드
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9
제1항에 있어서,상기 봉쇄층은 전기 쌍극자 모멘트를 갖는 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드
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10
제1항에 있어서,상기 봉쇄층의 두께는 평균 100 내지 300 ㎚인 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드
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11
Ⅰ) 기판을 준비하는 단계;Ⅱ) 준비된 기판 상에 제1 이차원 반도체 물질을 형성하는 단계;Ⅲ) 상기 제1 이차원 반도체 물질과 마주보는 상기 기판 상에, 상기 제1 이차원 반도체 물질과 일부 표면이 서로 중첩되도록 제2 이차원 반도체 물질을 형성하는 단계;Ⅳ) 상기 제1 및 제2 이차원 반도체 물질 상에 각각 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및Ⅴ) 상기 제1 및 제2 이차원 반도체 물질을 포함한 기판 표면을 덮도록 봉쇄층을 형성하는 단계;를 포함하는 p-n 다이오드의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 Ⅱ) 단계는 테이프 박리법 또는 고분자 스템프를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드의 제조방법
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13
제11항에 있어서,상기 Ⅲ) 단계는,Ⅲ-1) 제2 이차원 반도체물질을 고분자 스템프의 일면에 박리시키는 단계; 및Ⅲ-2) 상기 고분자 스템프의 제2 이차원 반도체 물질을 상기 제1 이차원 반도체 물질과 마주보되, 상기 제1 이차원 반도체 물질과 일부 표면이 서로 중첩되는 상기 기판 위치에 정렬시켜 접착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드의 제조방법
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14
제13항에 있어서,상기 Ⅲ) 단계에 사용된 고분자 스템프는 폴리디메틸실록산 고분자와 가교제의 혼합물이고, 상기 폴리디메틸실록산 고분자와 가교제의 혼합 중량비가 5-15 : 1인 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 Ⅲ) 단계에 사용된 고분자 스템프는 Ⅲ-1) 폴리디메틸실록산 고분자와 가교제(cross-linker)의 혼합물을 제조하는 단계;Ⅲ-2) 상기 혼합물에 존재하는 기포를 진공챔버를 이용하여 제거하는 단계; 및Ⅲ-3) 상기 기포가 제거된 혼합물을 성형틀에 붓고, 경화하여 고분자 스템프를 제조하는 단계;를 통해 제조된 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 Ⅴ) 단계는 스핀코팅법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 봉쇄층은 불소계 수지인 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 봉쇄층은 전기 쌍극자 모멘트를 갖는 것을 특징으로 하는 p-n 다이오드의 제조방법
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19
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 p-n 다이오드를 포함하는 전자기기
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 p-n 다이오드를 포함하는 광검출기
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