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질화물계 반도체층을 형성하는 단계;상기 질화물계 반도체층 또는 그 상부에, 표면의 내측 또는 외측으로 입체적인 형상을 갖는 복수의 구조물을 형성하는 단계;상기 복수의 구조물 각각의 상부에 나노선을 형성하는 단계; 및상기 나노선을 식각용 마스크로 사용하여 상기 구조물을 플라즈마 식각하여 복합 나노구조물을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 질화물계 반도체층은 n형 질화물갈륨계 반도체층 및 p형 질화물갈륨계 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 구조물을 형성하는 단계는 상기 n형 질화물갈륨계 반도체층의 상부 표면에 상기 복수의 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 구조물을 형성하는 단계는 상기 p형 질화물갈륨계 반도체층 상에 산화물층을 형성하는 단계; 및상기 산화물층에 상기 복수의 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 산화물층은 ITO, IGO, IZO 및 ZnO 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 질화물계 반도체층은 표면의 내측 또는 외측으로 입체적인 형상을 갖는 구조물이 패터닝된 사파이어 기판에 적층된 상기 n형 질화물갈륨계 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 구조물을 형성하는 단계는 상기 사파이어 기판의 구조물 패턴이 전사된 상기 질화물계 반도체층과 상기 사파이어 기판을 분리하여 상기 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 구조물은 상기 질화물계 반도체층을 습식 식각 방법으로 형성한 원뿔, 타원뿔, 다각뿔 중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 습식 식각 방법은 NaOH 용액 및 KOH 용액 중 하나를 사용하며, 용액의 농도가 1M ~ 32M인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 구조물은 식각용 마스크를 이용하여 건식 식각으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 식각용 마스크는 포토레지스트(PR), 니켈 금속닷 및 나노스피어 중 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 구조물은 300nm ~ 50um의 지름으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 나노선을 형성하는 단계에서는 상기 질화물계 반도체층 상부면에 수열 합성법을 이용하여 나노선을 성장시켜 추가 나노구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 나노선은 산화아연(ZnO)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 나노선은 1nm ~ 300nm의 지름과, 10nm ~ 1um의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 나노선을 형성하는 단계에서는 상기 질화물계 반도체층에 자외선 오존 및 산소 플라즈마 중 적어도 하나의 표면 처리를 통해 상기 나노선의 밀도와 지름을 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 식각은 Cl2, BCl3, O2, N2, Ar, CF4 및 CH4 중 선택된 하나 가스 또는 그 혼합 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 복합 나노구조물은 5nm ~ 300nm의 지름과, 10nm ~ 1um의 식각 깊이로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제1항 내지 제16항, 제18항, 제19항 중 어느 한 항에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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