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교차점 메모리 장치에 있어서,서로 평행하게 배치된 복수의 제 1 워드라인들;상기 제 1 워드라인들 사이에 서로 평행하게 배치된 복수의 제 2 워드라인들;상기 제 1 워드라인에 직교하고, 서로 평행하게 배치된 복수의 제 1 비트라인들; 상기 제 1 비트라인들 사이에 서로 평행하게 배치된 복수의 제 2 비트라인들; 및상기 제 1 워드라인과 상기 제 1 비트라인, 상기 제 2 워드라인과 상기 제 2 비트라인 사이에 전기적으로 접속된 복수의 교차점 메모리 셀(Cell)들을 포함하되,상기 제 1 비트라인들의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 제 1 비트라인의 제 1 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것이고,상기 제 2 비트라인들의 길이 방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 제 2 비트라인의 제 2 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것이며,상기 제 1 측면의 단부 및 상기 제 2 측면의 단부는 서로 소정의 거리만큼 이격되어 대향하도록 위치하는 교차점 메모리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 비트라인들의 폭 또는 두께가 상기 제 1 비트라인의 제 1 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것이고,상기 제 2 비트라인들의 폭 또는 두께가 상기 제 2 비트라인의 제 2 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 워드라인들의 길이방향에 대하여 수직인 단면의 단면적이 상기 제 1 워드라인의 제 1 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것이고, 상기 제 2 워드라인들의 길이방향에 대하여 수직인 단면의 단면적이 상기 제 2 워드라인의 제 2 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것인 교차점 메모리 장치
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제 3 항에 있어서,상기 제 1 워드라인들의 폭 또는 두께가 상기 제 1 워드라인의 제 1 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것이고,상기 제 2 워드라인들의 폭 또는 두께가 상기 제 2 워드라인의 제 2 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
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교차점 메모리 장치에 있어서,서로 평행하게 배치된 복수의 제 1 워드라인들;상기 제 1 워드라인들 사이에 서로 평행하게 배치된 복수의 제 2 워드라인들;상기 제 1 워드라인에 직교하고, 서로 평행하게 배치된 복수의 제 1 비트라인들; 상기 제 1 비트라인들 사이에 서로 평행하게 배치된 복수의 제 2 비트라인들; 및상기 제 1 워드라인과 상기 제 1 비트라인, 상기 제 2 워드라인과 상기 제 2 비트라인 사이에 전기적으로 접속된 복수의 메모리 셀(Cell)들을 포함하되,상기 제 1 워드라인들의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 제 1 워드라인의 제 1 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것이고,상기 제 2 워드라인들의 길이 방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 제 2 워드라인의 제 1 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것이며,상기 제 1 측면의 단부 및 상기 제 2 측면의 단부는 서로 소정의 거리만큼 이격되어 대향하도록 위치하는 교차점 메모리 장치
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제 5 항에 있어서,상기 제 1 워드라인들의 폭 또는 두께가 상기 제 1 워드라인의 제 1 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것이고,상기 제 2 워드라인들의 폭 또는 두께가 상기 제 2 워드라인의 제 2 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
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교차점 메모리 장치의 제조방법에 있어서,서로 평행하게 배치된 복수의 제 1 비트라인을 형성하는 단계;상기 제 1 비트라인들 사이에 서로 평행하게 배치된 복수의 제 2 비트라인을 형성하는 단계;상기 제 1 비트라인 및 상기 제 2 비트라인들의 선정된 지점에 복수의 교차점 메모리 셀을 형성하는 단계; 상기 교차점 메모리 셀이 형성된 상단에 상기 제 1 비트라인과 직교하고, 서로 평행하게 배치된 복수의 제 1 워드라인을 형성하는 단계; 및상기 교차점 메모리 셀이 형성된 상단에 상기 제 2 비트라인과 직교하고, 서로 평행하게 배치된 복수의 제 2 워드라인을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제 1 비트라인들의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 제 1 비트라인의 제 1 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것이고,상기 제 2 비트라인들의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 제 2 비트라인의 제 2 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것이며,상기 제 1 측면의 단부 및 상기 제 2 측면의 단부는 서로 소정의 거리만큼 이격되어 대향하도록 위치하는 교차점 메모리 장치의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 제 1 워드라인들이 배치되도록 형성하는 단계는상기 제 1 워드라인들의 길이방향에 대하여 수직인 단면의 단면적이 상기 제 1 워드라인의 제 1 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성시키는 것이고,상기 제 2 워드라인들이 배치되도록 형성하는 단계는상기 제 2 워드라인들의 길이방향에 대하여 수직인 단면의 단면적이 상기 제 2 워드라인의 제 2 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성시키는 것인 교차점 메모리 장치의 제조방법
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교차점 메모리 장치의 제조방법에 있어서,서로 평행하게 배치된 복수의 제 1 비트라인을 형성하는 단계;상기 제 1 비트라인들 사이에 서로 평행하게 배치된 복수의 제 2 비트라인을 형성하는 단계;상기 제 1 비트라인 및 상기 제 2 비트라인들의 선정된 지점에 복수의 교차점 메모리 셀을 형성하는 단계; 상기 교차점 메모리 셀이 형성된 상단에 상기 제 1 비트라인과 직교하고, 서로 평행하게 배치된 복수의 제 1 워드라인을 형성하는 단계; 및상기 교차점 메모리 셀이 형성된 상단에 상기 제 2 비트라인과 직교하고, 서로 평행하게 복수의 제 2 워드라인들이 배치되도록 형성하는 단계를 포함하되,상기 제 1 워드라인들의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 제 1 워드라인의 제 1 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것이고,상기 제 2 워드라인들의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 제 2 워드라인의 제 2 측면의 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것이며,상기 제 1 측면의 단부 및 상기 제 2 측면의 단부는 서로 소정의 거리만큼 이격되어 대향하도록 위치하는 교차점 메모리 장치의 제조방법
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