1 |
1
교차점 메모리 장치에 있어서,서로 평행으로 배치된 복수의 워드라인들;상기 워드라인에 직교하고 서로 평행으로 배치된 복수의 비트라인들; 및상기 각각의 워드라인과 상기 비트라인 사이에 전기적으로 접속된 복수의 교차점 메모리 셀(Cell)들을 포함하되,상기 비트라인들의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 비트라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것인 교차점 메모리 장치
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 비트라인들의 폭이 상기 비트라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 비트라인들의 두께가 상기 비트라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 워드라인들의 길이방향에 대하여 수직인 단면의 단면적이 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것인 교차점 메모리 장치
|
5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 워드라인들의 폭이 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
|
6 |
6
제 4 항에 있어서,상기 워드라인들의 두께가 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
|
7 |
7
교차점 메모리 장치에 있어서,서로 평행으로 배치된 복수의 워드라인들;상기 워드라인에 직교하고 서로 평행으로 배치된 복수의 비트라인들; 및상기 각각의 워드라인과 상기 비트라인 사이에 전기적으로 접속된 복수의 교차점 메모리 셀(Cell)들을 포함하되,상기 워드라인들의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것인 교차점 메모리 장치
|
8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 워드라인들의 폭이 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
|
9 |
9
제 7 항에 있어서,상기 워드라인들의 두께가 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
|
10 |
10
교차점 메모리 장치의 제조방법에 있어서,서로 평행하게 배치된 복수의 비트라인을 형성하는 단계;상기 비트라인들의 선정된 지점에 복수의 교차점 메모리 셀을 형성하는 단계; 및 상기 교차점 메모리 셀이 형성된 상단에 상기 비트라인과 직교하고, 서로 평행하게 배치된 복수의 워드라인을 형성하는 단계를 포함하되,상기 비트라인의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 비트라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것인 교차점 메모리 장치의 제조방법
|
11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 워드라인을 형성하는 단계는상기 워드라인의 길이방향에 대하여 수직인 단면의 단면적이 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성시키는 것인 교차점 메모리 장치의 제조방법
|
12 |
12
교차점 메모리 장치의 제조방법에 있어서,서로 평행하게 배치된 복수의 비트라인을 형성하는 단계;상기 비트라인들의 선정된 지점에 복수의 교차점 메모리 셀을 형성하는 단계; 및상기 교차점 메모리 셀이 형성된 상단에 상기 비트라인과 직교하고, 서로 평행하게 배치된 복수의 워드라인을 형성하는 단계를 포함하되,상기 워드라인의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것인 교차점 메모리 장치의 제조방법
|