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교차점 메모리 장치(CROSS POINT MEMORY DEVICE)

  • 기술번호 : KST2017000144
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 교차점 메모리 장치는 서로 평행으로 배치된 복수의 워드라인들, 워드라인에 직교하고 서로 평행으로 배치된 복수의 비트라인들, 및 각각의 워드라인과 비트라인 사이에 전기적으로 접속된 복수의 교차점 메모리 셀(Cell)들을 포함한다. 이때, 비트라인들의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 비트라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된다.
Int. CL G11C 5/02 (2006.01) G11C 5/06 (2006.01) G11C 5/12 (2006.01) G11C 13/00 (2006.01)
CPC G11C 5/063(2013.01) G11C 5/063(2013.01) G11C 5/063(2013.01) G11C 5/063(2013.01)
출원번호/일자 1020150090378 (2015.06.25)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0001034 (2017.01.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.25)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양준성 대한민국 서울특별시 서초구
2 한현승 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0616157-06
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.03.01 수리 (Accepted) 9-1-2016-0010256-69
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0706678-96
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1151950-25
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1151951-71
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
8 등록결정서
Decision to grant
2017.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0286316-88
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번호 청구항
1 1
교차점 메모리 장치에 있어서,서로 평행으로 배치된 복수의 워드라인들;상기 워드라인에 직교하고 서로 평행으로 배치된 복수의 비트라인들; 및상기 각각의 워드라인과 상기 비트라인 사이에 전기적으로 접속된 복수의 교차점 메모리 셀(Cell)들을 포함하되,상기 비트라인들의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 비트라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것인 교차점 메모리 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 비트라인들의 폭이 상기 비트라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 비트라인들의 두께가 상기 비트라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
4 4
제 1 항에 있어서,상기 워드라인들의 길이방향에 대하여 수직인 단면의 단면적이 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것인 교차점 메모리 장치
5 5
제 4 항에 있어서,상기 워드라인들의 폭이 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
6 6
제 4 항에 있어서,상기 워드라인들의 두께가 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
7 7
교차점 메모리 장치에 있어서,서로 평행으로 배치된 복수의 워드라인들;상기 워드라인에 직교하고 서로 평행으로 배치된 복수의 비트라인들; 및상기 각각의 워드라인과 상기 비트라인 사이에 전기적으로 접속된 복수의 교차점 메모리 셀(Cell)들을 포함하되,상기 워드라인들의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것인 교차점 메모리 장치
8 8
제 7 항에 있어서,상기 워드라인들의 폭이 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
9 9
제 7 항에 있어서,상기 워드라인들의 두께가 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하는 것인 교차점 메모리 장치
10 10
교차점 메모리 장치의 제조방법에 있어서,서로 평행하게 배치된 복수의 비트라인을 형성하는 단계;상기 비트라인들의 선정된 지점에 복수의 교차점 메모리 셀을 형성하는 단계; 및 상기 교차점 메모리 셀이 형성된 상단에 상기 비트라인과 직교하고, 서로 평행하게 배치된 복수의 워드라인을 형성하는 단계를 포함하되,상기 비트라인의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 비트라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것인 교차점 메모리 장치의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 워드라인을 형성하는 단계는상기 워드라인의 길이방향에 대하여 수직인 단면의 단면적이 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성시키는 것인 교차점 메모리 장치의 제조방법
12 12
교차점 메모리 장치의 제조방법에 있어서,서로 평행하게 배치된 복수의 비트라인을 형성하는 단계;상기 비트라인들의 선정된 지점에 복수의 교차점 메모리 셀을 형성하는 단계; 및상기 교차점 메모리 셀이 형성된 상단에 상기 비트라인과 직교하고, 서로 평행하게 배치된 복수의 워드라인을 형성하는 단계를 포함하되,상기 워드라인의 길이방향에 대하여 수직한 단면의 단면적은 상기 워드라인의 제 1 단부로부터 멀어질수록 증가하도록 형성된 것인 교차점 메모리 장치의 제조방법
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