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디랙 물질을 구비한 압력 감지 소자 및 이의 동작 방법(Pressure sensing device having dirac material and method for operating the same)

  • 기술번호 : KST2017000212
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 디랙 물질을 구비한 압력 감지 소자 및 이의 동작 방법을 제공한다. 압력 감지 소자는 기판 상에 배치되고 디랙 콘들이 디랙점에서 만나는 밴드 구조를 갖는 디랙 물질을 구비한다. 상기 디랙 물질 패턴의 양단에 소오스 전극과 드레인 전극이 각각 접속한다. 상기 디랙 물질 패턴 상에서 캐버티를 구비하는 스페이서층이 상기 기판 상에 배치된다. 상기 디랙 물질 패턴과 중첩된 게이트 전극이 상기 캐버티 상부에 배치된다.
Int. CL G01L 1/14 (2006.01) G01L 9/00 (2006.01) G01L 5/00 (2006.01)
CPC G01L 1/14(2013.01) G01L 1/14(2013.01) G01L 1/14(2013.01)
출원번호/일자 1020150090446 (2015.06.25)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0001059 (2017.01.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.25)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승백 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 설원제 대한민국 서울특별시 성북구
3 전현석 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0616624-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.06.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0103974-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0604235-14
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1034126-64
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1034125-18
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0130688-31
8 보정요구서
Request for Amendment
2017.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0150046-55
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0244202-62
10 등록결정서
Decision to grant
2017.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0532391-41
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 배치되고 디랙 콘들이 디랙점에서 만나는 밴드 구조를 갖는 디랙 물질 패턴;상기 디랙 물질 패턴의 양단에 각각 접속하는 소오스 전극과 드레인 전극;상기 기판 상에 배치되고 상기 디랙 물질 패턴 상에서 캐버티를 구비하는 스페이서층; 및상기 캐버티 상부에 배치되고 상기 디랙 물질 패턴과 중첩된 게이트 전극을 포함하되,상기 게이트 전극과 상기 디랙 물질 패턴 사이의 거리가 가까워지거나 멀어지는 각 경우에, 상기 디랙 물질 패턴에 흐르는 전류의 절대값이 펄스 모양을 나타내는 압력 감지 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 디랙 물질은 Pmmn 보론, 그래핀(graphenes), 그래파인(graphynes), 실리센(silicene), 게르마넨(germanene), (VO)n/(TiO2)m, (CrO2)n/(TiO2)m, SG-10b, GAL(single-walled hexagonal graphene antidote lattice), so_MoS2, α-(BEDT-TTF)2I3, Pb2(C6H4)3, Ni2(C6H4)3, Co2(C6H4)3, 및 Bi2Se3으로 이루어진 군에서 선택되는 층을 포함하는 압력 감지 소자
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 게이트 전극에 인가하는 압력을 증가 또는 감소시킬 때, 상기 디랙 물질 패턴의 페르미면은 디랙점을 지나는 압력 감지 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 디랙 물질 패턴의 불순물에 의한 전하의 개수(n0)는 하기 수학식들 중 어느 하나를 만족하는 범위 내에 있는 압력 감지 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 디랙 물질 패턴 상에 배치된 패시베이션층을 더 포함하는 압력 감지 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 게이트 전극 상부에 배치된 덮개층을 더 포함하는 압력 감지 소자
8 8
기판 상에 디랙 콘들이 디랙점에서 만나는 밴드 구조를 갖는 디랙 물질 패턴을 형성하는 단계;상기 디랙 물질 패턴의 양단에 각각 접속하는 소오스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 기판 상에 상기 디랙 물질 패턴 상에서 캐버티를 구비하는 스페이서층을 형성하는 단계; 및상기 스페이서층 상에 게이트 전극을 상기 디랙 물질 패턴과 중첩되도록 배치하는 단계를 포함하고,상기 게이트 전극과 상기 디랙 물질 패턴 사이의 거리가 가까워지거나 멀어지는 각 경우에, 상기 디랙 물질 패턴에 흐르는 전류의 절대값이 펄스 모양을 나타내는 압력 감지 소자 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 디랙 물질 패턴의 페르미면의 위치를 조절하는 단계를 더 포함하는 압력 감지 소자 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 디랙 물질 패턴의 페르미면의 위치를 조절하는 것은 상기 디랙 물질 패턴을 열처리하는 단계를 포함하는 압력 감지 소자 제조방법
11 11
제9항 또는 제10항에 있어서,상기 디랙 물질 패턴의 페르미면의 위치를 조절하는 것은 상기 디랙 물질 패턴을 도핑하는 단계를 포함하는 압력 감지 소자 제조방법
12 12
제8항에 있어서,상기 디랙 물질 패턴 상에 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하는 압력 감지 소자 제조방법
13 13
기판 상에 배치되고 디랙 콘들이 디랙점에서 만나는 밴드 구조를 갖는 디랙 물질 패턴, 상기 디랙 물질 패턴의 양단에 각각 접속하는 소오스 전극과 드레인 전극, 상기 기판 상에 배치되고 상기 디랙 물질 패턴 상에서 캐버티를 구비하는 스페이서층, 및 상기 캐버티 상에 배치되고 상기 디랙 물질 패턴과 중첩된 게이트 전극을 구비하고, 상기 게이트 전극과 상기 디랙 물질 패턴 사이의 거리가 가까워지거나 멀어지는 각 경우에, 상기 디랙 물질 패턴에 흐르는 전류의 절대값이 펄스 모양을 나타내는 압력 감지 소자를 제공하는 단계;상기 소오스 전극에 기준전압, 상기 드레인 전극에 드레인 전압, 및 상기 게이트 전극에 게이트 전압을 인가하는 단계; 및상기 게이트 전극에 인가하는 압력을 증가 또는 감소시키면서, 상기 드레인 전류를 측정하는 단계를 포함하는 압력 감지 소자 동작방법
14 14
삭제
15 15
제13항에 있어서,상기 게이트 전극에 인가하는 압력을 증가 또는 감소시킬 때, 상기 디랙 물질 패턴의 페르미면은 디랙점을 지나는 압력 감지 소자 동작방법
16 16
제13항에 있어서,상기 디랙 물질 패턴의 불순물에 의한 전하의 개수(n0)는 하기 수학식들 중 어느 하나를 만족하는 범위 내에 있는 압력 감지 소자 동작방법
17 17
제13항에 있어서,상기 압력 감지 소자는 상기 디랙 물질 패턴 상에 배치된 패시베이션층을 더 포함하는 압력 감지 소자 동작방법
18 18
제13항에 있어서,상기 압력 감지 소자는 상기 게이트 전극 상부에 배치된 덮개층을 더 포함하는 압력 감지 소자 동작방법
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1 US2016377492 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9976918 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부(2013Y) (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업 / 기초연구기반구축사업 / 대학중점연구소지원사업 생체모방 나노센서시스템 연구
2 교육부(2013Y) (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업 / 일반연구자지원사업 / 기본연구(기본) 생체모방형 그래핀 촉각소자
3 미래창조과학부 (재)한국연구재단 원천기술개발사업 / 나노소재 기술개발사업 / 나노소재원천기술개발사업 2차원 소재를 이용한 적층소자의 집적화 기술 개발