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게이트 전압 및 드레인 전류에 기초하여 신호를 증폭하는 증폭기;병렬 디지털 제어신호에 기초하여 상기 증폭기에 상기 게이트 전압 및 상기 드레인 전류를 공급하는 바이어스 회로; 및직렬 디지털 제어신호를 상기 병렬 디지털 제어신호로 변경하여 상기 바이어스 회로에 전달하는 직병렬 변환 회로를 포함하는 디지털 가변이득 증폭기
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제1항에 있어서,상기 바이어스 회로는,게이트에 상기 병렬 디지털 제어신호를 구성하는 각 비트가 연결된 복수의 스위칭 트랜지스터;드레인과 전원이 연결되어 있고, 소스에 상기 스위칭 트랜지스터가 병렬로 연결된 주 트랜지스터;를 포함하는 디지털 가변이득 증폭기
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제2항에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 주 트랜지스터는 고전자이동도 트랜지스터(HEMT, High-Electron-Mobility Transistor)인 디지털 가변이득 증폭기
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제2항에 있어서,상기 복수의 스위칭 트랜지스터는,각각 서로 다른 저항과 직렬로 연결되어 병렬 디지털 제어신호에 따라 상기 주 트랜지스터 소스의 저항을 조절하는 디지털 가변이득 증폭기
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제2항에 있어서,상기 주 트랜지스터는 인핸스먼트 모드(E-mode, Enhancement mode)에서 동작하고,상기 스위칭 트랜지스터는 디플리션 모드(D-mode, Depletion mode)에서 동작하는 디지털 가변이득 증폭기
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제1항에 있어서,상기 직렬 디지털 제어신호는,트랜지스터-트랜지스터 논리(TTL, Transistor-transistor logic) 신호인 디지털 가변이득 증폭기
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제1항에 있어서,상기 디지털 가변이득 증폭기는 갈륨-비소 단일칩 고주파 집적회로(GaAs MMIC, GaAs Monolithic Microwave Integrated Circuit)로 구현된 디지털 가변이득 증폭기
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게이트에 병렬 디지털 제어신호를 구성하는 각 비트가 연결된 복수의 스위칭 트랜지스터;드레인과 전원이 연결되어 있고, 소스에 상기 스위칭 트랜지스터가 병렬로 연결된 주 트랜지스터;를 포함하는 바이어스 회로
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제8항에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 주 트랜지스터는 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)인 바이어스 회로
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제8항에 있어서,상기 복수의 스위칭 트랜지스터는,각각 서로 다른 저항과 직렬로 연결되어 병렬 디지털 제어신호에 따라 상기 주 트랜지스터 소스의 저항을 조절하는 바이어스 회로
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제8항에 있어서,상기 주 트랜지스터는 인핸스먼트 모드(E-mode)에서 동작하고,상기 스위칭 트랜지스터는 디플리션 모드(D-mode)에서 동작하는 바이어스 회로
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제8항에 있어서,상기 바이어스 회로는 갈륨-비소 단일칩 고주파 집적회로(GaAs MMIC)로 구현된 바이어스 회로
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가변이득 증폭기의 바이어스 회로에 있어서,주 트랜지스터의 소스에 연결된 부하 저항과 병렬로 연결되어 있고,병렬 디지털 제어신호를 입력 받아 상기 주 트랜지스터의 소스의 저항을 조절하는 디지털 제어 장치
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제13항에 있어서,상기 디지털 제어 장치는,상기 병렬 디지털 제어신호를 구성하는 각 비트가 연결된 복수의 스위칭 트랜지스터를 포함하고, 상기 복수의 스위칭 트랜지스터는,상기 주 트랜지스터의 소스에 병렬로 연결되어 있으며,각각 서로 다른 저항과 직렬로 연결되어 상기 병렬 디지털 제어신호에 따라 상기 주 트랜지스터 소스의 저항을 조절하는 디지털 제어장치
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제14항에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 주 트랜지스터는 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)인 디지털 제어장치
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제14항에 있어서,상기 주 트랜지스터는 인핸스먼트 모드(E-mode)에서 동작하고,상기 스위칭 트랜지스터는 디플리션 모드(D-mode)에서 동작하는 디지털 제어장치
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제13항에 있어서,상기 디지털 제어장치는 갈륨-비소 단일칩 고주파 집적회로(GaAs MMIC)로 구현된 디지털 제어장치
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