| 1 |
1
리튬(Li) 화합물, 란탄(La) 화합물 및 금속 화합물을 포함하는 혼합물을 준비하는 것, 상기 금속 화합물은 M으로 표시되는 제 1 금속 원소를 포함하고;상기 혼합물에 제 2 금속 원소를 포함하는 제 1 전구체, 및 제 3 금속 원소를 포함하는 제 2 전구체를 혼합하는 것; 및결정화 공정을 수행하여 상기 제 1 전구체 및 상기 제 2 전구체가 혼합된 상기 혼합물로부터 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 형성하는 것을 포함하되,상기 화합물은 상기 제 2 및 상기 제 3 금속 원소들로 도핑되는 산화물계 고체 전해질의 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 원소들은 서로 다른 물질을 포함하되,상기 제 2 금속 원소는 상기 화학식 1의 Li자리에 치환되고,상기 제 3 금속 원소는 상기 화학식 1의 M자리에 치환되는 산화물계 고체 전해질 제조 방법
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 제 2 금속 원소는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 티타늄(Ti), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn) 또는 납(Pb) 중 적어도 하나를 포함하는 산화물계 고체 전해질의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 2 항에 있어서,상기 제 3 금속 원소는 탄탈륨(Ta), 나이오븀(Nb), 지르코늄(Zr), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 또느 바나듐(V) 중 적어도 하나를 포함하는 산화물계 고체 전해질의 제조 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 화합물은 입방정계상(cubic phase)을 가지는 산화물계 고체 전해질의 제조 방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 결정화 공정을 수행하는 것은:상기 혼합물에 제 1 열처리 공정을 수행하여 입방정계상(cubic phase)을 갖는 중간체를 형성하는 것; 및상기 중간체에 제 2 열처리 공정을 수행하여 상기 화합물을 형성하는 것을 포함하되,상기 중간체는 상기 화합물과 동일한 화학량론적 조성을 갖는 산화물계 고체 전해질의 제조 방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 화합물은 상기 중간체보다 높은 이온 전도도를 갖는 산화물계 고체 전해질의 제조 방법
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서,상기 제 1 열처리 공정은,800℃ 내지 1000℃에서 2 내지 4시간 동안 진행되는 산화물계 고체 전해질의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 6 항에 있어서,상기 제 2 열처리 공정 전에,상기 중간체에 소결 작용제를 첨가하는 것을 더 포함하는 산화물계 고체 전해질의 제조 방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 소결 작용제는 산화붕소(B2O3), 산화망간(MnO3) 및 붕산리튬(Li2B4O7) 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 산화물계 고체 전해질의 제조 방법
|
| 11 |
11
제 9 항에 있어서,상기 제 2 열처리 공정은,1000℃ 내지 1200℃에서 1 내지 30시간 동안 진행되는 산화물계 고체 전해질의 제조 방법
|
| 12 |
12
하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하되,상기 화합물은 하기 화학식 1의 Li 자리에 치환되는 제 1 금속 원소 및, 하기 화학식 1의 M 자리에 치환되는 제 2 금속 원소로 도핑되는 산화물계 고체 전해질
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 제 1 금속 원소는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 티타늄(Ti), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn) 또는 납(Pb) 중 적어도 하나를 포함하는 산화물계 고체 전해질
|
| 14 |
14
제 12 항에 있어서,상기 제 2 금속 원소는 탄탈륨(Ta), 나이오븀(Nb), 지르코늄(Zr), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 또는 바나듐(V) 중 적어도 하나를 포함하되, 상기 M과 다른 물질을 포함하는 산화물계 고체 전해질
|
| 15 |
15
제 12 항에 있어서,상기 제 1 금속 원소 및 상기 제 2 금속 원소의 각각은 상기 화합물 대해 0 보다 크고 0
|
| 16 |
16
제 12 항에 있어서,상기 화합물은 석류석 입방정계상(garnet cubic phase)을 가지는 산화물계 고체 전해질
|
