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유연성을 갖는 베이스 기판;상기 베이스 기판의 일면에 형성되는 듀얼 큐어 타입(dual cure type)의 프라이머 층;상기 프라이머 층 위에 광 소결용 잉크 조성물을 프린팅한 후 광 소결하여 형성한 배선;을 포함하고,상기 프라이머 층 및 배선이 형성된 베이스 기판을 열압 성형하여 3차원 형상으로 형성하고,상기 광 소결용 잉크 조성물은,순수구리입자, 외곽에 구리산화막이 있는 나노산화구리입자, 플레이트 형태의 은(Ag) 분말, 광 조사에 의해 구리산화막을 구리로 환원하는 환원제, 분산제, 바인더 및 용매를 포함하고,상기 순수구리입자, 나노산화구리입자 및 플레이트 형태의 은 분말의 조성은, 순수구리입자 10 내지 65 중량%, 나노산화구리입자 30 내지 85 중량%, 및 플레이트 형태의 은 분말 5 내지 15 중량% 인 것을 특징으로 하는 3차원 배선기판
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제1항에 있어서,상기 순수구리입자의 평균입자크기(D50)는 2㎛ 이하의 구형 입자 또는 5㎛ 이하의 판상 입자이고,상기 나노산화구리입자는 순수구리입자의 표면에 구리산화막이 50nm 이하의 두께로 형성된 코어-쉘(core-shell) 타입의 입자로서, D50이 900nm 이하이고, 최대입자크기(Dmax)가 2㎛ 이하의 입자 크기를 갖고,상기 플레이트 형태의 은 분말은 D50이 20nm 내지 3㎛ 이고, 두께가 100nm 이하인 다각판의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 배선기판
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제1항에 있어서,상기 프라이머 층의 소재는 NCO 및 COOH 관능기를 포함하는 고분자 수지인 것을 특징으로 하는 3차원 배선기판
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유연성을 갖는 베이스 기판을 공급하는 베이스 기판 공급부;상기 베이스 기판 공급부에서 공급된 상기 베이스 기판의 일면에 듀얼 큐어 타입(dual cure type)의 고분자 수지를 도포하여 프라이머 코팅층을 형성하는 코팅부;상기 베이스 기판의 일면에 도포된 프라이머 코팅층에 자외선을 조사하여 반경화 프라이머 층을 형성하는 자외선 조사부;상기 반경화 프라이머 층 위에 광 소결용 잉크 조성물을 프린팅하여 프린팅 배선을 형성하는 프린팅부;상기 프린팅 배선에 광을 조사하여 소결하는 광 소결부;상기 베이스 기판의 일면에 광 소결된 배선을 덮는 보호 필름(guard film)을 부착하는 보호 필름 부착부;상기 보호 필름이 부착된 상기 베이스 기판을 열압 성형하여 상기 베이스 기판과 배선을 3차원 형상으로 형성하는 열압 성형부;를 포함하고,상기 광 소결용 잉크 조성물은,순수구리입자, 외곽에 구리산화막이 있는 나노산화구리입자, 플레이트 형태의 은(Ag) 분말, 광 조사에 의해 구리산화막을 구리로 환원하는 환원제, 분산제, 바인더 및 용매를 포함하고,상기 순수구리입자, 나노산화구리입자 및 플레이트 형태의 은 분말의 조성은, 순수구리입자 10 내지 65 중량%, 나노산화구리입자 30 내지 85 중량%, 및 플레이트 형태의 은 분말 5 내지 15 중량% 인 것을 특징으로 하는 3차원 배선기판의 제조 장치
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제4항에 있어서, 상기 순수구리입자의 평균입자크기(D50)는 2㎛ 이하의 구형 입자 또는 5㎛ 이하의 판상 입자이고,상기 나노산화구리입자는 순수구리입자의 표면에 구리산화막이 50nm 이하의 두께로 형성된 코어-쉘(core-shell) 타입의 입자로서, D50이 900nm 이하이고, 최대입자크기(Dmax)가 2㎛ 이하의 입자 크기를 갖고,상기 플레이트 형태의 은 분말은 D50이 20nm 내지 3㎛ 이고, 두께가 100nm 이하인 다각판의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 배선기판의 제조 장치
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삭제
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제4항에 있어서,상기 프라이머 층의 소재는 NCO 및 COOH 관능기를 포함하는 고분자 수지인 것을 특징으로 하는 3차원 배선기판의 제조 장치
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제4항에 있어서,상기 열압 성형부에서 완전 경화된 프라이머 층의 경화 정도를 기준으로, 상기 자외선 조사부는 20 내지 30%의 비-스테이지(B-stage) 상태를 갖도록 반경화 프라이머 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 배선기판의 제조 장치
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