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고분자-마그네슘 이온 전도체, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 마그네슘 이온 전도성 고분자 막, 및 상기 마그네슘 이온 전도성 고분자 막을 포함하는 마그네슘 전지(POLYMER-MAGNESIUM ION CONDUCTIVE MATERIAL, METHOD FOR PREPARING THE SAME, MAGNESIUM ION CONDUCTIVE POLYMER FILM COMPRISING THE SAME, AND MAGNESIUM BATTERY COMPRISING THE MAGNESIUM ION CONDUCTIVE POLYMER FILM)

  • 기술번호 : KST2017000416
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자-마그네슘 이온 전도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 마그네슘 이온 전도성 고분자 막, 및 상기 마그네슘 이온 전도성 고분자막을 포함하는 마그네슘 전지에 관한 것으로서, 상기 고분자-마그네슘 이온 전도체는 고분자 및 마그네슘염을 포함한다. 상기 고분자-마그네슘 이온 전도체는 우수한 마그네슘 이온 전도성을 나타내어, 이를 전지, 특히 마그네슘 전지의 전해질로서 적용시 전지 특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01M 10/056 (2010.01.01) H01M 10/054 (2010.01.01) H01M 10/0565 (2010.01.01)
CPC H01M 10/056(2013.01) H01M 10/056(2013.01) H01M 10/056(2013.01) H01M 10/056(2013.01) H01M 10/056(2013.01) H01M 10/056(2013.01)
출원번호/일자 1020150093806 (2015.06.30)
출원인 주식회사 엘지화학, 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1993462-0000 (2019.06.20)
공개번호/일자 10-2017-0003312 (2017.01.09) 문서열기
공고번호/일자 (20190626) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.02)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장민철 대한민국 대전광역시 유성구
2 양두경 대한민국 대전광역시 유성구
3 홍승태 대한민국 대구광역시 수성구
4 곽헌호 대한민국 광주광역시 서구
5 이호춘 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, *층 (역삼동, 홍은빌딩)(워너비특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
2 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0637352-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2017.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0045699-61
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-1090526-50
5 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2017.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1193865-50
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.01.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0005164-18
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0736836-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-1310856-41
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1310906-36
14 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2019.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0057374-33
15 등록결정서
Decision to grant
2019.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0367038-92
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
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번호 청구항
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2 2
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3 3
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4 4
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5 5
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6 6
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7 7
서로 대향 하여 위치하는 제1 및 제2 고분자 매트릭스; 및상기 제1 및 제2 고분자 매트릭스 사이에 위치하는 마그네슘 이온 전도성 고분자층을 포함하며,상기 마그네슘 이온 전도성 고분자층은 고분자 및 마그네슘염을 포함하는 고분자-마그네슘 이온 전도체를 포함하고,상기 고분자는 폴리알킬(메타)아크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF), 폴리비닐리덴 플루오라이드-헥사플루오로에틸렌(HFP) 공중합체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,상기 고분자-마그네슘 이온 전도체는 마그네슘 이온 전도성 고분자 막 총 중량에 대하여 0
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제7항에 있어서,상기 제1 및 제2 고분자 매트릭스는 각각 독립적으로 폴리올레핀계 고분자를 포함하는 것인 전기화학 소자용 마그네슘 이온 전도성 고분자 막
9 9
삭제
10 10
제7항에 따른 마그네슘 이온 전도성 고분자 막을 포함하는 전기화학 소자
11 11
제7항에 따른 마그네슘 이온 전도성 고분자 막을 포함하는 마그네슘 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.