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그래핀 적층 패턴 형성 방법(METHOD FOR FORMING STACKED GRAPHENE PATTERN)

  • 기술번호 : KST2017000430
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀의 적층 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020160179974 (2016.12.27)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0003507 (2017.01.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020130165163   |   2013.12.27
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2014-0187725 (2014.12.24)
관련 출원번호 1020140187725
심사청구여부/일자 Y (2016.12.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정종완 대한민국 서울특별시 동작구
2 박재현 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-1279398-99
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0163172-04
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-0311042-14
4 면담 결과 기록서
2017.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0058621-30
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0418531-59
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0418509-54
7 등록결정서
Decision to grant
2017.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0577937-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재 상에 10 nm 내지 100 nm 두께의 제1 금속 박막 패턴을 형성하는 단계; 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD) 방법에 의해 상기 제1 금속 박막 패턴 상에 제1 그래핀 패턴 층을 증착함과 동시에 상기 제1 금속 박막 패턴을 증발시키는 단계;상기 제1 그래핀 패턴 층이 형성된 상기 기재 상에 10 nm 내지 100 nm 두께의 제2 금속 박막 패턴을 형성하는 단계; 및화학기상증착 방법에 의해 상기 제2 금속 박막 패턴 상에 제2 그래핀 패턴 층을 증착함과 동시에 상기 제2 금속 박막 패턴을 증발시켜 그래핀 적층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 그래핀 적층 패턴 형성 방법으로서,상기 그래핀 적층 패턴 형성 방법을 2 회 이상 반복 수행하는 것을 포함하며,상기 그래핀 적층 패턴은, 상기 제1 그래핀 패턴 층 및 상기 제2 그래핀 패턴 층 각각의 증착 시 상기 제1 금속 박막 패턴 및 상기 제2 금속 박막 패턴이 증발됨으로써 상기 제1 그래핀 패턴 층 및 상기 제2 그래핀 패턴 층이 서로 접촉되어 적층되어, 그래핀 메쉬 또는 그래핀 격자 모양으로 형성되는 것인,그래핀 적층 패턴 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 그래핀 적층 패턴 형성 방법은, 상기 기재 상에 서로 상이한 형상을 가지는 그래핀 패턴들이 적층되어 형성되는 것을 포함하는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 화학기상증착 방법은 고온 화학기상증착(rapid thermal chemical vapor deposition; RTCVD), 유도결합플라즈마 화학기상증착(inductively coupled plasma-chemical vapor deposition; ICP-CVD), 저압 화학기상증착(low pressure chemical vapor deposition; LPCVD), 상압 화학기상증착(atmospheric pressure chemical vapor deposition; APCVD), 금속 유기화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition; MOCVD), 플라즈마 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD), 및 이들의 조합들로 이루어지는 군에서 선택되는 방법을 포함하는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 화학기상증착 방법은 300℃ 내지 2,000℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 기재는 실리콘, 그래핀, 유리, 석영, 산소, 탄소펠트, 사파이어, 질화실리콘, 탄화실리콘, 산화실리콘, 티타늄 코팅기판, 세라믹, 금속, 또는 플라스틱을 포함하는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 박막 패턴 및 상기 제2 금속 박막 패턴은 각각 독립적으로 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge, 황동(brass), 청동(bronze), 백동, 스테인레스 스틸(stainless steel), 및 이들의 조합들로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 합금을 포함하는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 박막 패턴 및 상기 제2 금속 박막 패턴은 각각 독립적으로 원자층증착(atomic layer deposition; ALD), 스퍼터링(sputtering), 열증착(thermal evaporation), 전자빔 증착(e-beam evaporation), 분자빔 증착(molecular beam epitaxy; MBE), 펄스레이저증착(pulsed laser deposition; PLD), 화학기상증착(chemical vapour deposition; CVD), 졸겔(sol-gel) 방법, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군에서 선택되는 방법에 의해 형성되는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제1 그래핀 패턴 층 및 상기 제2 그래핀 패턴 층은 각각 독립적으로 상압, 저압, 또는 진공 하에 형성되는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
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1 KR1020150077343 KR 대한민국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR20150077343 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국반도체연구조합 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업 초미세 고신뢰성 배선기술
2 교육과학기술부 세종대학교 산학협력단 기초연구기반구축 그래핀 나노복합구조 및 전자소자연구