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폴리벤즈이미다졸계 고분자 막에 표면 처리를 하여 지지체로 하고,상기 지지체에 팔라듐을 무전해 도금하는 것을 포함하고, 그리고상기 표면 처리는 산소 플라즈마 및 이온교환 중 하나 이상을 처리하는 것을 포함하는 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산소 플라즈마 처리는 0torr~800torr에서 수행하는 것인 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 이온 교환은 상기 폴리벤즈이미다졸계 고분자 막에 양이온을 도입하는 것을 포함하는 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 무전해 도금은 팔라듐 음이온을 사용하는 것인 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 표면 처리 후 무전해 도금 전에 상기 지지체를 PdCl2 및 산을 포함하는 용액에 침지하여 활성화하는 것을 포함하는 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 활성화는 2회 이상 수행하는 것인 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 폴리벤즈이미다졸계 고분자는 폴리벤즈이미다졸의 반복 단위 중에 헥사플루오로이소프로필리덴이 결합된 것인 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 폴리벤즈이미다졸계 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 것인 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법:003c#화학식 1003e#상기 화학식에서, Ar은 이고, R은 수소, 메틸기, 네오펜틸기 및 벤질기 중에서 선택된 어느 하나이고, n은 230~540의 정수이다
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제1항에 있어서, 상기 팔라듐은 Pd, 또는 Pd와 Ag, Cu, Fe, Ti, Y 및 Ru 중 하나 이상의 합금인 것인 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 무전해 도금은 진공 무전해 도금인 팔라듐 도금 분리막의 제조 방법
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표면 처리된 폴리벤즈이미다졸계 고분자 막을 지지체로 하고,상기 지지체에 팔라듐을 무전해 도금된 팔라듐 도금층을 포함하고,상기 표면 처리는 산소 플라즈마 및 이온교환 중 하나 이상을 처리하는 것을 포함하고,상기 팔라듐 도금 층은 팔라듐 입자들이 팩킹된(packed) 미세 구조(microstructure)를 가지는 팔라듐 도금 분리막
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제13항에 있어서,상기 폴리벤즈이미다졸계 고분자는 폴리벤즈이미다졸의 반복 단위 중에 헥사플루오로이소프로필리덴이 결합된 것인 팔라듐 도금 분리막
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제13항에 있어서,상기 폴리벤즈이미다졸계 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 것인 팔라듐 도금 분리막:003c#화학식 1003e#상기 화학식에서, Ar은 이고, R은 수소, 메틸기, 네오펜틸기 및 벤질기 중에서 선택된 어느 하나이고, n은 230~540의 정수이다
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제13항에 있어서,상기 산소 플라즈마로 표면 처리된 폴리벤즈이미다졸계 고분자막은 표면에 -OH기를 형성하여 친수화된 것인 팔라듐 도금 분리막
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제13항에 있어서,상기 이온 교환으로 표면 처리된 폴리벤즈이미다졸계 고분자막은 폴리벤즈이미다졸계 고분자막의 양전하와 팔라듐 도금층의 음전하 사이에 전기적 인력을 갖는 팔라듐 도금 분리막
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제13항에 있어서,상기 팔라듐 도금층의 팔라듐 입자 평균 크기가 10nm 내지 100nm인 팔라듐 도금 분리막
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제13항에 있어서,상기 팔라듐 도금층의 표면 조도(roughness)의 표준 편차가 1nm 내지 500nm인 팔라듐 도금 분리막
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제13항에 있어서,팔라듐 도금층 두께 250nm, 150℃, 압력 8kgf/㎠에서 측정한 수소 투과도가 100 내지 350 Barrer인 팔라듐 도금 분리막
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제13항에 있어서,팔라듐 도금층 두께 250nm, 150℃, 압력 8kgf/㎠에서 측정한 수소/이산화탄소 선택도가 4 내지 25인 팔라듐 도금 분리막
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