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제1 기판;상기 제1 기판 상에 형성되는 제1 박막층; 상기 제1 박막층 또는 제1 기판에 압력을 가하는 나노 구조물; 및상기 압력에 의해 상기 제1기판과 상기 제1박막층 사이의 전류 변화를 감지함으로써 상기 압력을 측정하는 압력 측정부를 포함하되,상기 제1 기판과 상기 제1 박막층은 상기 제1 기판과 상기 제1 박막층의 계면에 이종 접합이 형성되는 물질로 구성되고,상기 전류 변화는 상기 압력에 의해 상기 제1 박막층이 인장 또는 압축됨으로써 형성되는 나노 압력 센싱 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 기판과 상기 제1 박막층은 상기 제1 기판과 상기 제1 박막층의 계면에 이종 접합이 형성되는 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 소자
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제1항에 있어서,상기 나노 구조물은 AFM 캔틸레버(Atomic Force Microscopy cantilever)인 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 소자
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제3항에 있어서,상기 AFM캔틸레버의 지름은 0
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제1항에 있어서,상기 나노 구조물 상에 형성된 제2 박막층 및 상기 제2 박막층 상에 형성된 제2 기판을 더 포함하되,상기 나노 구조물은 상기 제1 박막층 상에 형성된, 하나 이상의 나노 금속 파티클을 포함하고,상기 제2 박막층 및 상기 제2 기판은 상기 제2 기판과 상기 제2 박막층의 계면에 이종 접합이 형성되는 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 소자
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제1항에 있어서,상기 나노 구조물 상에 형성된 금속층을 더 포함하되,상기 나노 구조물은 상기 제1 박막층 상에 형성된, 하나 이상의 나노 금속 파티클을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 소자
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제5항에 있어서,상기 제1기판 및 제2기판은 산화물 기판이고 상기 제1 박막층 및 제2 박막층은 산화물 박막이거나,상기 제1기판 및 제2 기판은 반도체 기판이고 상기 제1 박막층 및 제2 박막층은 반도체 박막인 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 소자
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제7항에 있어서,상기 제1기판 및 제2 기판은 산화물 기판이고 상기 제1 박막층 및 제2 박막층은 산화물 박막인 경우,상기 제1 기판 또는 제2 기판은 SrTiO3, NdGaO3, DyScO3, 및 GdScO3 중 하나 이상을 포함하고,상기 제1 박막층 또는 제2 박막층은 LaAlO3, BiFeO3, AgTaO3, KNbO3 및 BaTiO3 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 소자
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제7항에 있어서,상기 제1기판 및 제2 기판은 산화물 기판이고 상기 제1 박막층 및 제2 박막층은 산화물 박막인 경우,상기 제1 기판 또는 제2 기판은 상기 제1 박막층 또는 제2 박막층과 접하는 방향의 표면이 산화물 마감 처리된 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 소자
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제7항에 있어서,상기 제1기판 및 제2 기판은 반도체 기판이고 상기 제1 박막층 및 제2 박막층은 반도체 박막인 경우,상기 제1 기판 및 상기 제1 박막층 또는 제2기판 및 제2 박막층은 III 족-질화물 물질 또는 III족 -V족 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 소자
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제10항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 제1 박막층 또는 제2기판 및 제2 박막층은 GaN/AlGaN, AlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaN/InAlGaN및 Be, Cr 또는 Si-doped GaAs/AlGaAs 중 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 소자
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나노 구조물에 의해, 제1 기판상에 형성된 제1 박막층에 압력을 가하는 단계; 및상기 압력에 의한 제1 기판과 상기 제1 박막층 사이의 전류 변화를 감지함으로써 상기 압력을 측정하는 단계를 포함하되,상기 제1 기판과 상기 제1 박막층은 상기 제1 기판과 상기 제1 박막층의 계면에 이종 접합이 형성되는 물질로 구성되고,상기 전류 변화는 상기 압력에 의해 상기 제1 박막층이 인장 또는 압축됨으로써 형성되는 나노 압력 센싱 방법
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제12항에 있어서,상기 나노 구조물은 AFM 캔틸레버(Atomic Force Microscopy cantilever)인 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 방법
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제14항에 있어서,상기 AFM캔틸레버의 지름은 0
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제12항에 있어서,상기 나노 구조물 상에 순차 형성된 제2 박막층 및 제2 기판을 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 나노 구조물은 상기 제1 박막층 상에 형성된, 하나 이상의 나노 금속 파티클을 포함하고,상기 제2 박막층 및 상기 제2 기판은 상기 제2 기판과 상기 제2 박막층의 계면에 이종 접합이 형성되는 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 방법
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제12항에 있어서,상기 나노 구조물 상에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 나노 구조물은 상기 제1 박막층 상에 형성된 하나 이상의 나노 금속 파티클을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 방법
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제16항에 있어서,상기 제1기판 또는 제2기판은 산화물 기판이고 상기 제1 박막층 또는 제2 박막층은 산화물 박막이거나,상기 제1기판 또는 제2 기판은 반도체 기판이고 상기 제1 박막층 또는 제2 박막층은 반도체 박막인 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 방법
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제18항에 있어서,상기 제1기판 또는 제2 기판은 산화물 기판이고 상기 제1 박막층 또는 제2 박막층은 산화물 박막인 경우,상기 제1 기판 또는 제2 기판은 SrTiO3, NdGaO3, DyScO3, 및 GdScO3 중 하나 이상을 포함하고,상기 제1 박막층 또는 제2 박막층은 LaAlO3, BiFeO3, AgTaO3, KNbO3 및 BaTiO3 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 방법
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제18항에 있어서,상기 제1기판 또는 제2 기판은 산화물 기판이고 상기 제1 박막층 또는 제2 박막층은 산화물 박막인 경우,상기 제1 기판 또는 제2 기판은 상기 제1 박막층 또는 제2 박막층과 접하는 방향의 표면이 산화물 마감 처리된 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 방법
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제18항에 있어서,상기 제1기판 또는 제2 기판은 반도체 기판이고 상기 제1 박막층 또는 제2 박막층은 반도체 박막인 경우,상기 제1 기판 및 상기 제1 박막층 또는 제2기판 및 제2 박막층은 III 족-질화물 물질 또는 III족 -V족 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 방법
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제21항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 제1 박막층 또는 제2기판 및 제2 박막층은 GaN/AlGaN, AlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaN/InAlGaN 및 Be, Cr 및 Si 중 하나가 도핑된 GaAs/AlGaAs 중 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 방법
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제16항에 있어서,상기 제1 박막층 또는 제2 박막층은 펄스레이저증착법(PLD, pulsed laser deposition), 스퍼터링법(sputtering), 에피택시증착법(epitaxy deposition), 전자빔증발법(electron beam evaporation), 원자층증착법(ALD, atomic layer deposition) 중 하나 이상의 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 압력 센싱 방법
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