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적층 구조를 포함하는 환원된 그래핀 옥사이드; 및,상기 환원된 그래핀 옥사이드의 적층 구조의 층간에 삽입된 금속층을 포함하고, 상기 환원된 그래핀 옥사이드는 n-형 또는 p-형으로 도핑되고,상기 n-형 도핑은 트리페닐아민에 의해 수행되고, 상기 p-형 도핑은 트리페닐포스핀에 의해 수행되고,상기 환원된 그래핀 옥사이드와 상기 금속층 간의 거리는 2 Å 내지 3 Å 인 것인,초전도성 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 금속층은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 초전도성 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 금속층은 Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Ca, Sr, Ba, Ra, Be, Mg, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 포함하는 것인, 초전도성 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 초전도성 복합체는 임계 온도 이하에서 초전도성을 나타내는 것인, 초전도성 복합체
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적층 구조를 포함하는 환원된 그래핀 옥사이드를 형성하는 단계; 상기 환원된 그래핀 옥사이드를 n-형 또는 p-형으로 도핑 하는 단계; 및,상기 환원된 그래핀 옥사이드의 적층 구조의 층간에 금속층을 삽입하는 단계를 포함하고,상기 n-형 도핑은 트리페닐아민에 의해 수행되고, 상기 p-형 도핑은 트리페닐포스핀에 의해 수행되고,상기 환원된 그래핀 옥사이드와 상기 금속층 간의 거리는 2 Å 내지 3 Å 인 것인,초전도성 복합체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 금속층은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 초전도성 복합체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 금속층은 Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Ca, Sr, Ba, Ra, Be, Mg, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 포함하는 것인, 초전도성 복합체의 제조 방법
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