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그래핀 필름에 형성된 전도성 고분자 층을 포함하는 롤(roll) 형태의 그래핀-전도성 고분자 복합체 필름을 포함하는, 3 차원 전극 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀-전도성 고분자 복합체 필름의 두께가 1 nm 내지 1,000 μm인 것인, 3 차원 전극 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀 필름은 그래핀, 그래핀 산화물, 환원된 그래핀 산화물, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 3 차원 전극 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜, 폴리파라페닐렌, 폴리파라페닐비닐렌, 폴리아진, 폴리티오펜, 폴리-p-페닐렌설파이드, 폴리푸란, 폴리피롤, 폴리셀레노펜, 폴리아세틸렌, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 고분자를 포함하는 것인, 3 차원 전극 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 롤(roll)은 원형 롤, 타원형 롤, 또는 다각형 롤을 포함하는 것인, 3 차원 전극 구조체
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그래핀 필름에 전도성 고분자 층을 형성하여 그래핀-전도성 고분자 복합체 필름을 수득하는 단계;상기 그래핀-전도성 고분자 복합체 필름을 롤링하는 단계; 및상기 롤링된 그래핀-전도성 고분자 복합체 필름을 슬라이싱하는 단계를 포함하는, 3 차원 전극 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 그래핀 필름은 그래핀, 그래핀 산화물, 환원 그래핀 산화물, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 3 차원 전극 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜, 폴리파라페닐렌, 폴리아진, 폴리티오펜, 폴리-p-페닐렌설파이드, 폴리푸란, 폴리피롤, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 고분자를 포함하는 것인, 3 차원 전극 구조체의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 3 차원 전극 구조체를 포함하는, 3 차원 캐패시터용 전극
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