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하기 구조식 2로 표시되는 전도성 고분자 화합물
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삭제
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제1항에 있어서,R1 및 R2는 같거나 서로 다르고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 C3 내지 C30 분쇄형 알킬기인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물
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제1항에 있어서,상기 구조식 2로 표시되는 전도성 고분자 화합물이 하기 전도성 고분자 화합물 1 내지 13 중에서 선택된 어느 하나이고, 하기 전도성 고분자 화합물 1 내지 13의 q는 반복단위수인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물
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제1항의 전도성 고분자 화합물을 포함하는 유기전자소자
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제5항에 있어서,상기 유기전자소자가 유기태양전지 및 유기 전계효과 트랜지스터 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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제6항에 있어서,상기 전도성 고분자 화합물이 유기 활성층에 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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하기 구조식 3으로 표시되는 화합물과 하기 구조식 4로 표시되는 화합물을 반응시켜 하기 구조식 2로 표시되는 전도성 고분자 화합물을 제조하는 전도성 고분자 화합물의 제조방법
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제8항에 있어서,R1 및 R2는 같거나 서로 다르고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 C3 내지 C30 분쇄형 알킬기인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조방법
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10
제8항에 있어서,상기 전도성 고분자 화합물의 제조방법은,(a) 상기 구조식 3으로 표시되는 화합물 및 상기 구조식 4으로 표시되는 화합물을 용매에 용해시켜 혼합용액을 제조하는 단계;(b) 상기 혼합용액에 착화합물 촉매 및 조촉매를 첨가하여 혼합물을 제조하는 단계; 및(c) 상기 혼합물을 가열하여 중합반응시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조방법
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11
제10항에 있어서,상기 용매가 톨루엔, 벤젠, 헥산, 나프탈렌, 에틸벤젠, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 디클로로메탄, 트리클로로메탄, 테트라클로로메탄, 사이클로헥산 및 사염화탄소 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조방법
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12
제10항에 있어서,상기 착화합물 촉매가 Pd2(dba)3, Pd(dba)2 및 Pd(PPh3)4 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 조촉매가 P(o-tolyl)3, PPh3, 및 PCy3HBF4 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조방법
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제10항에 있어서,단계 c가 80 내지 200℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조방법
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제8항의 전도성 고분자 화합물의 제조방법을 포함하는 유기전자소자의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 유기전자소자가 유기태양전지 및 유기 전계효과 트랜지스터 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전자소자의 제조방법
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