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저항변화 메모리 제조 방법 및 그 메모리(METHOD OF MANUFACTURING RESISTANCE RAM AND THE MEMORY)

  • 기술번호 : KST2017000597
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 한 가지 양태에 따라서, 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 제1 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 하부 전극 상에 산화막 또는 질화막을 형성하는 단계; 상기 산화막 또는 질화막을 소정의 패턴으로 식각하여, 상기 제1 하부 전극을 부분적으로 노출시키는 단계; 상기 노출된 제1 하부 전극 상에 전해도금을 이용하여 백금을 패턴화된 형태로 적층하여, 패턴화된 제2 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 산화막 또는 질화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리(ReRAM) 제조 방법이 제공된다.
Int. CL
CPC H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01)
출원번호/일자 1020150094425 (2015.07.02)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0005258 (2017.01.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.02)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손현철 대한민국 서울 강남구
2 고대홍 대한민국 경기 고양시 일산서구
3 이규민 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0642169-08
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0017376-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0133748-10
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0383283-86
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0443263-69
7 보정요구서
Request for Amendment
2016.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0074558-60
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2016.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0478294-83
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0588226-91
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0707926-46
11 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2016.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0111735-58
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0812025-65
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0812041-96
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0901822-49
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0143099-53
16 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0249830-86
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0366481-11
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0366463-99
19 등록결정서
Decision to grant
2017.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0367716-60
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 제1 하부 전극을 형성하는 단계;상기 제1 하부 전극 상에 산화막 또는 질화막을 형성하는 단계;상기 산화막 또는 질화막을 소정의 패턴으로 식각하여, 상기 제1 하부 전극을 부분적으로 노출시키는 단계;상기 노출된 제1 하부 전극 상에만 전해도금만을 이용하여 백금을 패턴화된 형태로 적층하여, 패턴화된 제2 하부 전극을 형성하는 단계;상기 패턴화된 제2 하부 전극은 제거하지 않으면서, 산화막 또는 질화막 만을 완전히 제거하여, 상기 패턴화된 제2 하부 전극만을 상기 제1 하부 전극 상에 남겨두는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리(ReRAM) 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제1 하부 전극은 CVD, PVD, 스퍼터링 중 하나의 기법을 이용하여 형성된 텅스텐 전극인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리(ReRAM) 제조 방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 산화막은 SiO2이고, 상기 질화막은 SiN인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리(ReRAM) 제조 방법
4 4
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5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.