| 1 |
1
투명 기판 상에 다층 투명 전도막을 형성하는 것, 상기 다층 투명 전도막은 상기 투명 기판 상에 순차적으로 적층되는 제 1 산화물층, 금속층, 및 제 2 산화물층을 포함하고;상기 제 2 산화물층 상에 패턴홀을 갖는 마스크 패턴을 형성하는 것;상기 마스크 패턴의 상기 패턴홀에 의해 노출되는 상기 제 2 산화물층 상에 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 수행하여, 상기 제 2 산화물층 내에 트랜치를 형성하는 것, 상기 트랜치는 상기 금속층의 상면을 노출하고;상기 트랜치 및 상기 패턴홀을 채우는 금속 패턴을 형성하고; 및상기 금속 패턴이 형성된 후, 상기 마스크 패턴을 제거하는 것을 포함하되,상기 금속 패턴의 상면은 상기 제2 산화물층의 상면보다 높고 상기 마스크 패턴의 상면보다 낮도록 형성되는 투명 전극의 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 금속 패턴은 평면적으로 그물망 구조(mesh)를 갖는 투명 전극의 제조 방법
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 금속 패턴은 평면적으로 일 방향으로 연장되어 복수의 행들을 이루는 제 1 금속 패턴들, 및 상기 일 방향과 수직한 방향으로 연장되어 복수의 열들을 이루는 제 2 금속 패턴들을 포함하는 그리드 형태를 갖는 투명 전극의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 2 항에 있어서,상기 금속 패턴은 평면적으로 허니콤 형태를 갖는 투명 전극의 제조 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 금속 패턴을 형성하는 것은,상기 노출된 금속층의 상면을 시드(seed)로 이용하는 도금 공정을 수행하는 것을 포함하는 투명 전극의 제조 방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 도금 공정은,구리(Gu), 니켈(Ni), 은(Ag) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 소스 물질로 사용하는 투명 전극의 제조 방법
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 마스크 패턴은 상기 제 2 산화물층의 일면 상으로부터 1 내지 10 마이크로 미터의 높이를 갖고,상기 금속 패턴은 상기 제 2 산화물층의 일면 상으로부터 0
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,상기 금속 패턴은 1 내지 20 마이크로 미터의 폭을 갖는 투명 전극의 제조 방법
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서,상기 금속층은 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 투명 전극의 제조 방법
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,상기 제 1 산화물층 및 상기 제 2 산화물층의 각각은 아연 산화물(ZnO), 주석 산화물(SnO2), 실리콘 산화물(SiO2), 티타늄 산화물(TiO2), 실리콘 질화물(SiNx), ZITO(ZnO+In2O3+SnO2), ZTO(ZnO+SnO2), AZO(Al-doped ZnO), GZO(Ga-doped ZnO), ITO(In2O3+SnO2), IZO(In2O3+ZnO) 및 이들의 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 투명 전극의 제조 방법
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서,상기 다층 투명 전도막은 접착층을 더 포함하되,상기 접착층은:상기 제 1 산화물층과 상기 금속층의 사이, 및 상기 금속층과 상기 제 2 산화물층의 사이 중 적어도 어느 하나에 형성되는 투명 전극의 제조 방법
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 접착층은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄 질화물(AlN), 티타늄 질화물(TiN), 알루미늄 산화물(Al2O3), 티타늄 산화물(TiO2), 크롬 산화물(Cr2O3) 및 실리콘 산화물(SiO2, Si3O4)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 투명 전극의 제조 방법
|
| 14 |
14
제 1 항에 있어서,상기 금속 패턴을 형성한 이후에,상기 금속 패턴 상에 산화 방지막을 형성하는 것을 더 포함하는 투명 전극의 제조 방법
|
| 15 |
15
제 14 항에 있어서,상기 산화 방지막은 니켈(Ni) 또는 은(Ag)을 포함하는 투명 전극의 제조 방법
|
| 16 |
16
제 1 항에 있어서,상기 마스크 패턴을 제거한 이후에,상기 제 2 산화물층 및 상기 금속 패턴을 덮도록 보호층을 형성하는 것을 더 포함하는 투명 전극의 제조 방법
|
| 17 |
17
제 16 항에 있어서,상기 보호층은 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 투명 전극의 제조 방법
|
