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a) 인듐 전구체, 계면활성제 및 용매를 반응기에 넣어 혼합한 후, 15 ~ 25 ℃에서 진공화하는 단계; 및b) 상기 단계 a)의 반응기에 백린(white phosphorus)을 첨가하여, 상기 단계 a)에서 제조된 혼합물과 상기 백린을 열분해 반응시켜 InP(인듐 포스파이드) 양자점을 합성하는 단계를 포함하고,상기 a) 단계에서 상기 인듐 전구체 및 계면활성제의 몰비는 1 : 1 내지 1 : 5 이며,상기 a) 단계의 인듐 전구체와 상기 b) 단계의 백린의 몰비는 1 : 0
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제1항에 있어서,상기 b) 단계는, 상기 단계 a)에서 제조된 혼합물을 150℃ 내지 400℃의 온도로 가열한 후, 백린을 첨가하여 150℃ 내지 400℃ 온도에서 열분해 반응시키는 것을 특징으로 하는, InP 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 b) 단계는, 상기 단계 a)에서 제조된 혼합물에 백린을 첨가한 후 150℃ 내지 400℃ 온도로 가열함으로써 열분해 반응시키는 것을 특징으로 하는, InP 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 b) 단계는, 상기 백린을 알킬포스핀(alkylphosphine) 계열의 계면활성제와 같이 첨가하는 것을 특징으로 하는, InP 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 a) 단계는, 진공화를 실시한 후 반응기 내부를 불활성기체로 퍼징(purging)시키는 것을 특징으로 하는, InP 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 b) 단계 후, c) 반용매(anti-solvent)를 첨가하여 양자점을 침전시킨 후, 상기 양자점을 비극성용매에 분산시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, InP 양자점의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 비극성용매는 헥산, 톨루엔, 벤젠, 옥테인, 클로로포름, 클로로벤젠, 테트라히드로푸란(THF)
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제1항에 있어서,상기 a) 단계의 인듐 전구체는, 인듐 아세틸아세토네이트(Indium(III) acetylacetonate), 인듐 클로라이드(Indium(III) chloride), 인듐 아세테이트(Indium(III) acetate), 트리메틸 인듐(Trimethyl indium), 알킬 인듐(Alkyl Indium), 아릴 인듐(Aryl Indium), 인듐 미리스테이트(Indium(III) Myristate), 인듐 미리스테이트 아세테이트(Indium(III) Myristate Acetate) 및 인듐 미리스테이트 2 아세테이트(Indium(III) Myristate 2 Acetate)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는, InP 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 a) 단계의 용매는 2,6,10,15,19,23-Hexamethyltetracosane(Squalane), 1-octadecene(ODE), Trioctylamine(TOA), Tributylphosphine oxide, Octadecene, Octadecylamine, Trioctylphosphine(TOP) 및 Trioctylphosphine oxide(TOPO)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 콜로이드상 InP 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 a) 단계의 계면활성제는, 카복실산(carboxylic acid) 계열 화합물, 포스폰산(phosphonic acid) 계열 화합물이거나, 상기 두 화합물의 혼합물인 것을 특징으로 하는, 콜로이드상 InP 양자점의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 카복실산 계열 화합물은 올레산(Oleic acid), 팔마틱산(Palmatic acid), 스테아릭산(Stearic aicd), 리놀렌산(Linoleic acid), 미리스틱산(Myristic aicd) 및 라우르산(Lauric acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 콜로이드상 InP 양자점의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 포스폰산 계열 화합물은 헥실포스폰산(Hexylphosphonic acid), 옥타데실포스폰산(Octadecylphosphonic acid), 테트라데실포스폰산(Tetradecylphosphonic acid), 헥사데실포스폰산(hexadecylphosphonic acid), 데실포스폰산(Decylphosphonic acid), 옥틸포스폰산(Octylphosphonic acid) 및 부틸포스폰산(Butylphosphonic acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 콜로이드상 InP 양자점의 제조방법
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a) 인듐 전구체, 계면활성제 및 용매를 반응기에 넣어 혼합한 후, 15 ~ 25 ℃ 에서 진공화하는 단계;b) 상기 단계 a)의 반응기에 백린(white phosphorus)을 첨가하여, 상기 단계 a)에서 제조된 혼합물과 상기 백린을 열분해 반응시켜 InP(인듐 포스파이드) 양자점을 합성하는 단계;c) 상기 단계 b)에서 제조된 InP 양자점을 비극성용매에 분산시키는 단계; 및d) 상기 단계 c)에서 제조된 InP 양자점 용액에 유기 리간드를 혼합하여 반응시킨 후, 아연 전구체, 셀레늄 및 황 전구체을 첨가하여 InP 양자점에 ZnSSe 쉘 층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 a) 단계에서 상기 인듐 전구체 및 계면활성제의 몰비는 1 : 1 내지 1 : 5 이며,상기 a) 단계의 인듐 전구체와 상기 b) 단계의 백린의 몰비는 1 : 0
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