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지지체 상에 제1막을 준비하는 단계;모든 가장자리 제1막 내에 위치하도록 제1막 상에 제1전극층을 형성하는 단계;제1전극층을 덮으면서 제1막 외측으로 연장되어 지지체와 컨택하도록 제2전극층을 형성하는 단계;제1막을 덮도록 제2막을 형성하는 단계;제1막과 제2막을 기판 상에 위치시키는 단계; 및제2막을 제거하는 단계;를 포함하며,상기 제2전극층을 형성하는 단계에서 사용하는 제2전극물질과 지지체 사이의 접합력은 상기 제1전극층을 형성하는 단계에서 사용하는 제1전극물질과 지지체 사이의 접합력보다 약한, 전자장치 제조방법
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제1항에 있어서,제1전극층 상에 제1전극층의 가장자리와 동일한 가장자리를 갖는 제1보조전극층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2전극층을 형성하는 단계는, 제1보조전극층을 덮으면서 제1막 외측으로 연장되는 제2전극층을 형성하는 단계인, 전자장치 제조방법
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제4항에 있어서,제1보조전극층과 제2전극층은 동일 물질로 형성된, 전자장치 제조방법
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제1항에 있어서,제1전극물질은 팔라듐, 크롬 또는 티탄을 포함하고, 제2전극물질은 금, 은 또는 니켈을 포함하는, 전자장치 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2막을 형성하는 단계와 상기 제1막과 제2막을 기판 상에 위치시키는 단계 사이에, 제1막과 제2막을 지지체로부터 분리하는 단계를 더 포함하는, 전자장치 제조방법
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제8항에 있어서,상기 제1막과 제2막을 기판 상에 위치시키는 단계는, 제2전극층이 기판 상의 제3전극층에 대응하도록 위치시키는 단계인, 전자장치 제조방법
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제8항에 있어서,상기 제1막과 제2막을 기판 상에 위치시키는 단계는, 제2전극층이 기판 상의 제3전극층에 컨택하도록 위치시키는 단계인, 전자장치 제조방법
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제9항 또는 제10항에 있어서,제3전극층은 제2전극층과 동일 물질로 형성된, 전자장치 제조방법
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제1항에 있어서,제1막은 유기반도체물질, 그래핀, 탄소나노튜브 또는 전이금속 칼코겐화물(transition metal dichalcogenide)을 포함하는, 전자장치 제조방법
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제1항에 있어서,제2막은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA; polymethylmethacrylate), 싸이토프(CYTOP), 에틸락테이트(ethyl lactate), 폴리프로필렌카보네이트(PPC; poly propylene carbonate) 또는 폴리(알파클로로아크릴레이트-코-알파메틸스티렌)(ZEP; poly(α-chloroacrylate-co-α-methyl styrene))을 포함하는, 전자장치 제조방법
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기판;상기 기판 상에 배치된 제3전극층;일단이 상기 제3전극층 상에 위치하되 상기 제3전극층의 상면의 일부가 노출되도록 상기 제3전극층 상에 위치하는 제1막;모든 가장자리가 상기 제1막 내에 위치하도록 상기 제1막 상에 위치한 제1전극층; 및상기 제1전극층을 덮으면서 제1막 외측으로 연장되어 상기 제3전극층의 상기 제1막 외측으로 노출된 부분에 컨택하는 제2전극층;을 구비하는, 전자장치
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제14항에 있어서,상기 제1전극층과 상기 제2전극층 사이에 개재되며 상기 제1전극층의 가장자리와 동일한 가장자리를 갖는 제1보조전극층을 더 구비하는, 전자장치
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제16항에 있어서,상기 제1보조전극층과 상기 제2전극층은 동일 물질을 포함하는, 전자장치
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제14항, 제16항 및 제17항 중 어느 한 항에 있어서,제1전극층은 팔라듐, 크롬 또는 티탄을 포함하고, 상기 제2전극층은 금, 은 또는 니켈을 포함하는, 전자장치
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제14항, 제16항 및 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제3전극층과 상기 제2전극층은 동일 물질을 포함하는, 전자장치
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제14항, 제16항 및 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1막은 유기반도체물질, 그래핀, 탄소나노튜브 또는 전이금속 칼코겐화물(transition metal dichalcogenide)을 포함하는, 전자장치
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