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1
측면에 제1 광추출구조가 형성된 기판;상기 기판의 일면에 형성되는 제1 반사층;상기 기판의 일면과 대향하는 상기 기판의 타면 상에 형성되고, n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조물; 및상기 반도체 적층구조물 상에 형성되는 제2 반사층을 포함하고,상기 활성층에서 발광된 빛은 상기 기판 또는 상기 반도체 적층구조물의 측면으로 방출되며,상기 제1 반사층 및 상기 제2 반사층 중에서 적어도 어느 하나의 반사층은 상기 활성층에서 발광된 빛을 외부로 방출하는 광출사구를 포함하는 측면 발광다이오드
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2
청구항 1에 있어서,상기 제1 광추출구조는 상기 기판의 측면을 패터닝하여 형성한 돌출부 또는 오목부인 측면 발광다이오드
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3
청구항 1에 있어서,상기 제1 광추출구조는 상기 기판의 측면에 상기 기판의 일면과 평행한 방향으로 형성되는 측면 발광다이오드
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4
청구항 1에 있어서,상기 반도체 적층구조물은 측면에 제2 광추출구조가 형성되는 측면 발광다이오드
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5
청구항 4에 있어서,상기 제2 광추출구조는 상기 반도체 적층구조물의 측면에 상기 기판의 타면과 평행한 방향으로 형성되는 측면 발광다이오드
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6
청구항 1에 있어서,상기 기판은 상기 일면과 타면 중 적어도 어느 한 면에 요철구조가 형성되는 측면 발광다이오드
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7
복수로 제공되는 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 측면 발광다이오드;상기 측면 발광다이오드에 전기적 신호를 제공하는 배선이 형성된 하부판; 및상기 하부판 상에 제공되고, 상기 측면 발광다이오드가 수용되는 복수의 수용부가 형성된 도광판을 포함하는 면광원
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8
청구항 7에 있어서,상기 수용부는 상기 도광판의 상부면에 수직인 측벽을 갖고,상기 측면 발광다이오드는 측면이 상기 도광판의 상부면에 수직이 되도록 상기 수용부에 수용되는 면광원
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9
청구항 7에 있어서,상기 도광판 상에 제공되고, 상기 측면 발광다이오드로부터 방출된 빛을 균일하게 방사하는 확산판을 더 포함하는 면광원
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10
청구항 7에 있어서,상기 측면 발광다이오드가 수용된 상기 수용부의 여유 공간에 형광체가 제공되는 면광원
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11
삭제
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12
기판의 측면에 돌출부 또는 오목부로 패터닝하여 제1 광추출구조를 형성하는 단계;상기 기판의 일면에 제1 반사층을 형성하는 단계;상기 기판의 일면과 대향하는 상기 기판의 타면 상에 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조물을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 적층구조물 상에 제2 반사층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 반사층을 형성하는 단계 또는 상기 제2 반사층을 형성하는 단계에서는 상기 활성층에서 발광된 빛을 외부로 방출하는 광출사구를 포함하도록 상기 제1 반사층 및 상기 제2 반사층 중에서 적어도 어느 하나의 반사층을 형성하는 측면 발광다이오드 제조방법
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청구항 12에 있어서,상기 반도체 적층구조물의 측면에 돌출부 또는 오목부로 패터닝하여 제2 광추출구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 측면 발광다이오드 제조방법
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14
청구항 12에 있어서,상기 기판의 일면과 타면 중 적어도 어느 한 면에 요철구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 측면 발광다이오드 제조방법
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15
청구항 13에 있어서,상기 제1 광추출구조 또는 상기 제2 광추출구조는 상기 기판의 일면과 평행한 방향으로 형성하는 측면 발광다이오드 제조방법
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