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적어도 일부에 알루미늄 산화물의 제 1 표면층을 갖는 적어도 하나 이상의 제 1 선형 배선 구조체; 및적어도 일부에 상기 알루미늄 산화물의 제 1 표면층과 접촉하는 탄소 함유물의 제 2 표면층을 갖는 적어도 하나 이상의 제 2 선형 배선 구조체를 포함하며, 상기 제 1 배선 구조체와 상기 제 2 배선 구조체에 인가되는 전위 또는 전류에 따라 상기 제 1 배선 구조체의 상기 제 1 표면층과 상기 제 2 배선 구조체의 상기 제 2 표면층의 접촉 계면에, 상기 알루미늄 산화물과 상기 탄소 함유물의 탄소 사이에 가역적 전기화학적 반응 생성물이 생성 또는 소멸되며,상기 가역적 전기화학적 반응 생성물은 Al4O4C를 포함하며,상기 Al4O4C이 생성될 때 상기 접촉 계면은 산소 공공에 의한 저저항 상태를 갖고 상기 Al4O4C이 소멸될 때 상기 접촉 계면은 상기 산소 공공의 감소로 고저항 상태를 가짐으로써, 상기 제 1 배선 구조체와 상기 제 2 배선 구조체를 따라 흐르는 전류의 크기가 제어되는 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 선형 배선 구조체는 알루미늄 와이어, 알루미늄층이 코팅된 도전성 또는 비도전성 섬유, 또는 이의 혼합물을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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3
제 2 항에 있어서, 상기 알루미늄층은 습식 코팅, 전해 도금 및 무전해 도금된 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 알루미늄 산화물은 자연 산화막인 비휘발성 메모리 소자
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삭제
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삭제
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 소자의 셋 전압은 음의 바이어스 영역 내이고, 리셋 전압은 양의 바이어스 영역 내인 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 배선 구조체 및 상기 제 2 배선 구조체는 직조, 짜임, 부직포 또는 이의 조합된 구조를 갖는 비휘발성 메모리 소자
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10
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 배선 구조체 및 상기 제 2 배선 구조체 중 어느 하나가 다른 하나를 감싸거나 서로 감싸는 비휘발성 메모리 소자
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11
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 배선 구조체 및 상기 제 2 배선 구조체의 접촉 상태를 유지시키기 위해 상기 상기 제 1 배선 구조체 및 상기 제 2 배선 구조체 중 적어도 어느 하나에 결합되는 지지체를 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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12
제 11 항에 있어서, 상기 지지체 내에 상기 제 1 배선 구조체 및 상기 제 2 배선 구조체가 매립되는 비휘발성 메모리 소자
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13
제 11 항에 있어서, 상기 지지체에 상기 제 1 배선 구조체 및 상기 제 2 배선 구조체 중 적어도 하나는 상기 지지체를 쓰레딩하여 결합되는 비휘발성 메모리 소자
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14
제 11 항에 있어서, 상기 지지체는 직물, 부직포, 솜, 종이, 플렉시블 절연성 시트 또는 이의 조합을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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제 11 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 배선 구조체들은 메모리 셀 어레이를 형성하고,상기 지지체 내에 상기 메모리 셀 어레이의 구동을 위한 주변 회로가 실장되는 비휘발성 메모리 소자
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16
제 11 항에 있어서, 상기 지지체는 가방, 의복, 모자, 손목시계, 모자, 커튼, 침구류 중 적어도 어느 하나의 일부인 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항 기재의 비휘발성 메모리 소자; 및상기 비휘발성 메모리 소자를 구동하기 위한 주변 회로를 포함하는 웨어러블 전자 장치
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