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MOCVD 더스트로부터 갈륨 및 인듐을 침출시키는 방법(METHOD FOR LEACHING GALLIUM AND INDIUM FROM MOCVD DUST)

  • 기술번호 : KST2017001075
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MOCVD 더스트로부터 Ga과 In을 침출시키는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 MOCVD 반응에 참여하지 않고 배출되는 MOCVD 더스트로부터 Ga과 In을 효과적으로 회수하여, 종래 재활용 공정보다 높은 회수율로 고순도의 갈륨 및 인듐을 침출시키는 방법에 관한 것이다.
Int. CL C22B 7/00 (2006.01.01) C22B 58/00 (2006.01.01)
CPC C22B 7/007(2013.01) C22B 7/007(2013.01)
출원번호/일자 1020150100653 (2015.07.15)
출원인 고등기술연구원연구조합
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0009142 (2017.01.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고등기술연구원연구조합 대한민국 경기도 용인시 처인구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경수 대한민국 서울특별시 노원구
2 이찬기 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤진호 대한민국 경기도 용인시 처인구
4 박재량 대한민국 대전광역시 서구
5 강이승 대한민국 서울특별시 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0686818-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5177074-19
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번호 청구항
1 1
1) MOCVD 더스트를 염산, 질산, 황산 및 수산화나트륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 용매와 혼합하는 단계;2) 상기 혼합액을 100 ~ 600 rpm의 속도로 10 ~ 200 분 동안 교반하는 단계; 및3) 상기 교반된 혼합액을 여과하여 침출액을 수득하고, 상기 침출액으로부터 갈륨 또는 인듐을 회수하는 단계를 포함하는, MOCVD 더스트로부터 갈륨, 인듐, 또는 갈륨과 인듐을 침출시키는 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 용매의 농도는 1
3 3
제1항에 있어서, 상기 교반은 40 ~ 140 ℃에서 수행되는, 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 침출액은 4,500 ~ 6,500 ppm의 갈륨 및 900 ~ 4,500 ppm의 인듐을 포함하는, 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 MOCVD 더스트가 공기 중에서 700 ~ 1,000 ℃에서 1 ~ 5 시간 동안 열처리된 것을 특징으로 하는, 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 MOCVD 더스트가 NaCO3와 1: 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)엔코 에너지기술개발사업 LED 폐자원에서 희소금속(Ga, In)을 회수율 95%, 순도 99.999% 이상으로 생산하는 상용화 기술 개발