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기판;상기 기판 상에 제공되는 제 1 메탈; 상기 기판 상에 제공되는 제 2 메탈;상기 제 1 메탈과 상기 제 2 메탈이 간접적으로 접촉하는 적어도 세 개의 접점; 및상기 제 1 메탈, 상기 제 2 메탈, 및 상기 적어도 세 개의 접점을 포함하는 폐쇄회로로서, 테라헤르츠 파의 투과를 조절하는 적어도 하나의 공진기가 포함되며,상기 접점 중의 적어도 어느 하나는 가변용량 캐패시터이고,상기 가변용량 캐패시터의 하측부에만 공핍영역이 제공되는 테라헤르츠 변조기
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제 1 항에 있어서, 상기 공진기는 적어도 두 개 이상이 상기 기판 상에 어레이로 제공되는 테라헤르츠 변조기
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제 1 항에 있어서, 상기 접점 중의 적어도 어느 하나는 고정용량 캐패시터인 테라헤르츠 변조기
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제 3 항에 있어서, 상기 고정용량 캐패시터는, 상기 제 1 메탈 및 상기 제 2 메탈이 오버랩되고, 그 계면에 유전층이 개입되는 테라헤르츠 변조기
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제 3 항에 있어서, 상기 고정용량 캐패시터는 두 개가 공진기의 양 측부에 각각 제공되는 테라헤르츠 변조기
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제 1 항에 있어서, 상기 가변용량 캐패시터에는, 상기 기판 상에 제공되는 반도체층; 및상기 반도체층 상의 보호막이 포함되고, 상기 보호막이 개방된 두 개소를 통하여 상기 메탈이 각각 접촉되는 테라헤르츠 변조기
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제 7 항에 있어서, 상기 반도체층에 접촉되는 상기 메탈은 나노스케일로 상기 반도체층에 접촉되는 테라헤르츠 변조기
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제 7 항에 있어서, 상기 반도체층에 접촉되는 상기 메탈은 쇼트키 컨택을 이루는 테라헤르츠 변조기
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제 7 항에 있어서, 상기 반도체층은 헴트인 테라헤르츠 변조기
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제 1 항에 있어서, 상기 가변용량 캐패시터는 상기 공진기의 중앙부에 제공되는 테라헤르츠 변조기
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제 1 항에 있어서, 상기 적어도 세 개의 접점 중에서, 적어도 하나의 접점은 가변용량 캐패시터이고, 적어도 두 개의 접점은 고정용량 캐패시터이고, 상기 가변용량 캐패시터는 가운데 상기 고정용량 캐패시터는 양 측부에 제공되는 테라헤르츠 변조기
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기판; 상기 기판 상에 소정의 형상으로 제공되는 제 1 메탈;상기 기판 상에 소정의 형상으로 제공되는 제 2 메탈; 및 상기 제 1 메탈과 상기 제 2 메탈이 접촉하는 적어도 두 개소에서 상기 메탈간의 사이에 각각 제공되는 캐패시터가 포함되며,상기 캐패시터는 적어도 하나의 가변용량 캐패시터와 적어도 하나의 고정용량 캐패시터가 포함되어 공진기를 이루며, 상기 가변용량 캐패시터의 하측부에만 공핍영역이 제공되는 테라헤르츠 변조기
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제 14 항에 있어서, 상기 공진기는 상기 기판 상에 어레이를 이루는 테라헤르츠 변조기
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제 15 항에 있어서, 상기 고정용량 캐패시터는 두 개가 제공되고, 상기 가변용량 캐패시터는 하나가 제공되는 테라헤르츠 변조기
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제 15 항에 있어서, 상기 고정용량 캐패시터는 테라헤르츠의 고주파에서 볼 때에는 단락되고, 저주파에서는 개방되는 것인 테라헤르츠 변조기
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제 15 항에 있어서, 상기 공진기는 사각형으로 제공되고, 세로방향이 더 긴 테라헤르츠 변조기
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기판; 상기 기판 상에 소정의 형상으로 제공되는 제 1 메탈;상기 기판 상에 소정의 형상으로 제공되는 제 2 메탈; 및테라헤르츠 파의 투과를 조절할 수 있는 공진기의 어레이가 포함되고, 상기 공진기에는, 상기 제 1 메탈과 상기 제 2 메탈이 접촉하는 적어도 두 개소에 각각 제공되는 캐패시터가 포함되고, 상기 공진기는 스플릿 링 공진기를 이루며,상기 캐패시터는, 상기 스플릿 링 공진기의 중앙부에 제공되는 가변용량 캐패시터와 상기 스플릿 링 공진기의 양측부에 각각 제공되는 고정용량 캐패시터를 포함하고,상기 가변용량 캐패시터의 하측부에만 공핍영역이 제공되는 테라헤르츠 변조기
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