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아민 화합물로 표면 처리된 그래핀층; 및상기 그래핀층 위에 배치된 금속층을 포함하는 그래핀 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 아민 화합물은 방향족 아민 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 복합체
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제 2 항에 있어서,상기 방향족 아민 화합물은 디아미노나프탈렌, 아미노나프탈렌, 벤젠디아민, 및 벤젠아민 중에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 금속층은 Ag, Au, Cu, Al, Ni, 및 Co 중에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 금속층의 두께는 6 ~ 10nm인 것을 특징으로 하는 그래핀 복합체
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기판 위에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그패핀층의 표면을 아민 화합물로 처리하는 단계; 및상기 그래핀층 위에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀 복합체의 형성 방법
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7
제 6 항에 있어서,상기 아민 화합물은 방향족 아민 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 복합체의 형성 방법
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8
제 7 항에 있어서,상기 방향족 아민 화합물은 디아미노나프탈렌, 아미노나프탈렌, 벤젠디아민, 및 벤젠아민 중에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 복합체
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9
제 6 항에 있어서,상기 금속층은 물리 증착 공정을 이용하여 Ag, Au, Cu, Al, Ni, 및 Co 중에서 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 복합체의 형성 방법
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10
제 6 항에 있어서,상기 그패핀층의 표면을 상기 아민 화합물로 처리하는 단계는,상기 아민 화합물이 용해된 유기 용매를 상기 그래핀층의 표면에 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 복합체의 형성 방법
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11
제 10 항에 있어서,상기 유기 용매는 메탄올을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 복합체의 형성 방법
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제 6 항에 있어서,상기 그래핀층을 형성하는 단계는,희생층 위에 상기 그래핀층을 형성하는 단계, 상기 그래핀층 위에 스탬프층을 형성하는 단계, 상기 희생층을 제거하고 상기 그래핀층을 상기 기판 위로 전사하는 단계, 및상기 스탬프층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 복합체의 형성 방법
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