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1
적어도 일부분에 나노 구조체가 형성된 반도체 웨이퍼를 포함하는, 전자 방출체
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제1항에 있어서,상기 나노 구조체는 상기 반도체 웨이퍼와 연속된 동일 성분 및 구조인 것인, 전자 방출체
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3
제1항에 있어서,상기 나노 구조체는, 상기 반도체 웨이퍼 상에 화학적 식각으로 형성되어, 상기 나노 구조체와 상기 반도체 웨이퍼는 연속된 구조를 가지는 것인, 전자 방출체
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4
제1항에 있어서,상기 나노 구조체는, 니들, 원뿔, 및 다각뿔 중 1종 이상의 형상을 포함하는 것인, 전자 방출체
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5
제1항에 있어서,상기 나노 구조체는, 2 내지 500의 종횡비를 갖는 것인, 전자 방출체
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6
제1항에 있어서,상기 나노 구조체는, 상기 나노 구조체의 높이의 0
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7
제1항에 있어서,상기 나노 구조체는, 10 nm 내지 50 ㎛의 높이를 갖는 것인, 전자 방출체
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8
제1항에 있어서,상기 반도체 웨이퍼 및 상기 나노 구조체는, III족 원소와 질소(N)를 포함하는 III족 질화물 반도체를 포함하는 것인, 전자 방출체
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9
제8항에 있어서,상기 III족 질화물 반도체는, GaN를 포함하는 것인, 전자 방출체
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10
반도체 웨이퍼를 준비하는 단계; 및 상기 반도체 웨이퍼의 적어도 일부분에 나노 구조체를 형성하는 단계; 를 포함하는, 제1항의 전자 방출체의 제조방법
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11
제10항에 있어서,상기 나노 구조체를 형성하는 단계는, 화학적 식각으로 나노 구조체를 형성하고,상기 화학적 식각은, HCl, NH3 또는 이 둘을 이용하여 수행되는 것인, 전자 방출체의 제조방법
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12
서로 대향되게 배치된 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제1 기판의 일면에 배치되고, 적어도 일부분에 나노 구조체가 형성된 반도체 웨이퍼층을 포함하는 전자 방출부; 및 상기 제2 기판의 일면에 배치되고, 상기 나노 구조체를 향해서 배치된 발광물질층을 포함하는 발광부; 를 포함하는, 발광 장치
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13
제12항에 있어서,상기 발광물질층은, 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광하는 발광물질을 포함하고, 상기 발광물질층은, 1 nm 내지 20 ㎛의 두께를 갖는 것인, 발광 장치
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14
제12항에 있어서,상기 전자 방출부 및 상기 발광부는, 이들 사이에 갭이 형성되도록 배치되고, 상기 갭의 길이는 조절 가능한 것인, 발광 장치
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15
제12항에 있어서,상기 제1 기판 및 제2 기판은, 서로 동일하거나 또는 상이하고, 사파이어, 다이아몬드 사파이어, 다이아몬드, LiAlO2, Al, SiO2, Si, SiC, GaN, Cu, Fe, Pt, 및 Pb 중 1종 이상을 포함하고, 10 ㎛ 내지 500 ㎛ 두께를 갖는 것인, 발광 장치
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16
제12항에 있어서,상기 발광물질층의 일면의 적어도 일부분에 상기 나노 구조체를 향해서, 반사층, 전자포집층, 또는 이 둘이 순차적으로, 더 배치되는, 발광 장치
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17
제16항에 있어서,상기 반사층 및 상기 전자포집층은, Ni, Al, Cu, Fe, Ag, Zn, Sn, Pb, Sb, Ti, In, V, Cr, Co, C, Ca, Mo, Au, P, W, Rh, Mn, B, Si, Ge, Se, Ln, Ga, Ir 및 이들의 합금 중 1종 이상을 포함하고, 상기 반사층 및 상기 전자포집층은, 10 nm 내지 200 nm 두께를 갖는 것인, 발광 장치
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18
제12항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 발광물질층의 일면의 적어도 일부분에 외부 전극과 연결되는 금속판이 배치되는 것인, 발광 장치
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