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이온성 탄성 유전체 기반 섬유형 트랜지스터 및 그 제조방법(FIBER TYPE TRANSISTOR WITH IONIC ELASTOMER DIELECTRIC AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017001179
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 이온성 탄성유전체 기반 섬유형 트랜지스터는 도전성 코어 섬유에 반도체 활성물질을 코팅하고, 도전성 섬유를 순차적으로 권취하여 형성된 제 1 섬유소자; 및 도전성 코어 섬유에 이온성 탄성 유전체층이 코팅된 제 2 섬유소자를 포함한다. 이때, 제 1 섬유소자 및 제 2 섬유소자가 교차하여 배치된다.
Int. CL
CPC H01L 51/0512(2013.01) H01L 51/0512(2013.01) H01L 51/0512(2013.01)
출원번호/일자 1020150104805 (2015.07.24)
출원인 숭실대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0011700 (2017.02.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.24)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김도환 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 김소영 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0719704-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2016-5110636-51
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0692866-00
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1152471-35
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1152470-90
6 등록결정서
Decision to grant
2017.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0301563-46
7 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)
2017.05.15 수리 (Accepted) 2-1-2017-0306232-43
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번호 청구항
1 1
이온성 탄성 유전체 기반 섬유형 트랜지스터에 있어서,도전성 코어 섬유에 반도체 활성물질을 코팅하고, 도전성 섬유를 순차적으로 권취하여 형성된 제 1 섬유소자; 및도전성 코어 섬유에 이온성 탄성 유전체층이 코팅된 제 2 섬유소자를 포함하되,상기 제 1 섬유소자 및 상기 제 2 섬유소자가 교차하여 배치된 것인 섬유형 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 이온성 탄성 유전체층은유전체로 사용될 수 있는 이온결합 물질을 포함하는 것인 섬유형 트랜지스터
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 섬유소자의 도전성 코어 섬유는 드레인 전극으로서 기능하고, 상기 반도체 활성물질은 활성층으로서 기능하고, 상기 도전성 섬유는 소스 전극으로서 기능하고, 상기 제 2 섬유소자의 이온성 탄성 유전체층은 절연막으로서 기능하고, 상기 제 2 섬유소자의 도전성 코어 섬유는 게이트 전극으로서 기능하는 것인 섬유형 트랜지스터
4 4
청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
5 5
청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
6 6
이온성 탄성 유전체 기반 섬유형 트랜지스터 어레이에 있어서,도전성 코어 섬유에 반도체 활성물질을 코팅하고, 도전성 섬유를 순차적으로 권취하여 형성된 복수의 제 1 섬유소자; 및도전성 코어 섬유에 이온성 탄성 유전체층이 코팅된 복수의 제 2 섬유소자를 포함하되,상기 복수의 제 1 섬유소자 및 상기 복수의 제 2 섬유소자가 교차하여 방직된 것인 섬유형 트랜지스터 어레이
7 7
제 6 항에 있어서,상기 이온성 탄성 유전체층은유전체로 사용될 수 있는 이온결합 물질을 포함하는 것인 섬유형 트랜지스터 어레이
8 8
제 6 항에 있어서,상기 제 1 섬유소자의 도전성 코어 섬유는 드레인 전극으로서 기능하고, 상기 반도체 활성물질은 활성층으로서 기능하고, 상기 도전성 섬유는 소스 전극으로서 기능하고, 상기 제 2 섬유소자의 이온성 탄성 유전체층은 절연막으로서 기능하고, 상기 제 2 섬유소자의 도전성 코어 섬유는 게이트 전극으로서 기능하는 것인 섬유형 트랜지스터 어레이
9 9
청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
10 10
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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이온성 탄성 유전체 기반 섬유형 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,도전성 코어 섬유에 반도체 활성물질을 코팅하고, 도전성 섬유를 순차적으로 권취하여 형성된 제 1 섬유소자와 도전성 코어 섬유에 이온성 탄성 유전체층을 코팅하여 제 2 섬유소자를 교차하여 방직하는 단계를 포함하는 섬유형 트랜지스터를 제조하는 방법
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 섬유소자는 도전성 물질을 이용하여 상기 도전성 코어 섬유를 형성하는 단계;상기 도전성 코어 섬유에 반도체 활성물질을 용융 또는 용액방사하여 반도체 활성물질을 상기 도전성 코어 섬유에 코팅하는 단계; 및도전성 물질을 이용하여 사출된 도전성 섬유를 상기 반도체 활성물질이 코팅된 도전성 코어 섬유에 권취하는 단계를 통해 형성된 것인 섬유형 트랜지스터를 제조하는 방법
13 13
청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
14 14
제 11 항에 있어서,상기 제 2 섬유소자는 도전성 물질을 이용하여 상기 도전성 코어 섬유를 형성하는 단계; 및상기 도전성 코어 섬유에 이온성 탄성 유전체를 용융 또는 용액방사하여 상기 이온성 탄성 유전체층을 코팅하는 단계를 통해 형성된 것인 섬유형 트랜지스터를 제조하는 방법
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1 미래창조과학부 숭실대학교 나노기반 소프트 일렉트로닉스 연구 고성능 분자기반 신축성 반도체 나노소재 및 구조 개발
2 미래창조과학부 숭실대학교 산학협력단 신진연구자지원 하이브리드형 고전도성 카본나노튜브 마이크로섬유를 이용한 고민감성 전자피부 개발