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이온성 탄성 유전체 기반 섬유형 트랜지스터에 있어서,도전성 코어 섬유에 반도체 활성물질을 코팅하고, 도전성 섬유를 순차적으로 권취하여 형성된 제 1 섬유소자; 및도전성 코어 섬유에 이온성 탄성 유전체층이 코팅된 제 2 섬유소자를 포함하되,상기 제 1 섬유소자 및 상기 제 2 섬유소자가 교차하여 배치된 것인 섬유형 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 이온성 탄성 유전체층은유전체로 사용될 수 있는 이온결합 물질을 포함하는 것인 섬유형 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 섬유소자의 도전성 코어 섬유는 드레인 전극으로서 기능하고, 상기 반도체 활성물질은 활성층으로서 기능하고, 상기 도전성 섬유는 소스 전극으로서 기능하고, 상기 제 2 섬유소자의 이온성 탄성 유전체층은 절연막으로서 기능하고, 상기 제 2 섬유소자의 도전성 코어 섬유는 게이트 전극으로서 기능하는 것인 섬유형 트랜지스터
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청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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5 |
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청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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이온성 탄성 유전체 기반 섬유형 트랜지스터 어레이에 있어서,도전성 코어 섬유에 반도체 활성물질을 코팅하고, 도전성 섬유를 순차적으로 권취하여 형성된 복수의 제 1 섬유소자; 및도전성 코어 섬유에 이온성 탄성 유전체층이 코팅된 복수의 제 2 섬유소자를 포함하되,상기 복수의 제 1 섬유소자 및 상기 복수의 제 2 섬유소자가 교차하여 방직된 것인 섬유형 트랜지스터 어레이
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제 6 항에 있어서,상기 이온성 탄성 유전체층은유전체로 사용될 수 있는 이온결합 물질을 포함하는 것인 섬유형 트랜지스터 어레이
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8
제 6 항에 있어서,상기 제 1 섬유소자의 도전성 코어 섬유는 드레인 전극으로서 기능하고, 상기 반도체 활성물질은 활성층으로서 기능하고, 상기 도전성 섬유는 소스 전극으로서 기능하고, 상기 제 2 섬유소자의 이온성 탄성 유전체층은 절연막으로서 기능하고, 상기 제 2 섬유소자의 도전성 코어 섬유는 게이트 전극으로서 기능하는 것인 섬유형 트랜지스터 어레이
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청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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10 |
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청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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이온성 탄성 유전체 기반 섬유형 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,도전성 코어 섬유에 반도체 활성물질을 코팅하고, 도전성 섬유를 순차적으로 권취하여 형성된 제 1 섬유소자와 도전성 코어 섬유에 이온성 탄성 유전체층을 코팅하여 제 2 섬유소자를 교차하여 방직하는 단계를 포함하는 섬유형 트랜지스터를 제조하는 방법
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 섬유소자는 도전성 물질을 이용하여 상기 도전성 코어 섬유를 형성하는 단계;상기 도전성 코어 섬유에 반도체 활성물질을 용융 또는 용액방사하여 반도체 활성물질을 상기 도전성 코어 섬유에 코팅하는 단계; 및도전성 물질을 이용하여 사출된 도전성 섬유를 상기 반도체 활성물질이 코팅된 도전성 코어 섬유에 권취하는 단계를 통해 형성된 것인 섬유형 트랜지스터를 제조하는 방법
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청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제 11 항에 있어서,상기 제 2 섬유소자는 도전성 물질을 이용하여 상기 도전성 코어 섬유를 형성하는 단계; 및상기 도전성 코어 섬유에 이온성 탄성 유전체를 용융 또는 용액방사하여 상기 이온성 탄성 유전체층을 코팅하는 단계를 통해 형성된 것인 섬유형 트랜지스터를 제조하는 방법
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