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(a) 산화아연 포함 시드 입자를 포함하는 분산액을 준비하는 단계; 및(b) 상기 분산액과 실리콘 전구체를 혼합한 후, 가수분해 및 축합반응을 통해 실리콘(silicone) 입자를 제조하는 단계를 포함하고,상기 (b) 단계에서 실리콘(silicone) 입자의 입자 분포에서 50% 누적질량 입자크기 분포 직경을 D50이라 할 때, D50≥15㎛이며,상기 실리콘 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 유기알콕시 실란을 포함하는 것을 특징으로 하는실리콘 입자의 제조방법:[화학식 1]Aa-B4-a-Si상기 식에서, A는 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹; 말단의 수소가 할로겐원자, 니트로기, 술폰기, 수산기, 아민기, 알데히드기, 또는 카르복실기로 치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹; 또는 탄소수 5 내지 10의 아릴 그룹이고, B는 탄소수 1 내지 10의 알콕시 그룹; 또는 말단의 수소가 할로겐원자, 니트로기, 술폰기, 수산기, 아민기, 알데히드기, 또는 카르복실기로 치환된 탄소수 1 내지 10의 알콕시 그룹이며,a는 1 내지 3의 정수이다
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 시드 입자는 상기 (b) 단계에서 실리콘 전구체 대비 0
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 가수분해 및 축합반응 후, 100℃ 내지 150℃에서 추가로 숙성시키는실리콘 입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 실리콘 입자는 D50≤20㎛인 것을 특징으로 하는 실리콘 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 실리콘 입자의 입자 분포에서 90%, 50%, 10% 누적질량 입자크기 분포 직경을 각각 D90, D50, D10이라 할 때, (D90-D10)/D50≤3인 것을 특징으로 하는실리콘 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 실리콘 입자의 수율은 60% 이상인실리콘 입자의 제조방법
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산화아연 포함 시드 입자를 포함하는 분산액 및 실리콘 전구체로부터 형성된 실리콘 입자이고, 상기 실리콘 입자의 입자 분포에서 50% 누적질량 입자크기 분포 직경을 D50이라 할 때, D50≥15㎛이며,상기 실리콘 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 유기알콕시 실란을 포함하는 것을 특징으로 하는실리콘 입자:[화학식 1]Aa-B4-a-Si상기 식에서, A는 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹; 말단의 수소가 할로겐원자, 니트로기, 술폰기, 수산기, 아민기, 알데히드기, 또는 카르복실기로 치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹; 또는 탄소수 5 내지 10의 아릴 그룹이고, B는 탄소수 1 내지 10의 알콕시 그룹; 또는 말단의 수소가 할로겐원자, 니트로기, 술폰기, 수산기, 아민기, 알데히드기, 또는 카르복실기로 치환된 탄소수 1 내지 10의 알콕시 그룹이며,a는 1 내지 3의 정수이다
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제10항에 있어서,상기 실리콘 입자의 입자 분포에서 90%, 50%, 10% 누적질량 입자크기 분포 직경을 각각 D90, D50, D10이라 할 때, (D90-D10)/D50≤3인 것을 특징으로 하는실리콘 입자
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