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내부에 제1공간과, 상기 제1공간과 연통하는 제2공간이 형성된 플라스마 생성관;상기 플라스마 생성관 내부로 공급된 반응 가스를 상기 제1공간에서 분해하여 라디칼을 생성하는 제1플라스마 생성부; 및상기 제 2 공간에서, 상기 라디칼을 재분해하는 제2플라스마 생성부를 포함하는 플라스마 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 플라스마 생성부는 CCP 방식으로 상기 라디칼을 생성하고,상기 제 2 플라스마 생성부는 CCP 방식 또는 ICP 방식으로 상기 라디칼을 재분해하는 플라스마 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 플라스마 생성부는상기 제 1 공간에 위치하며, 표면에 절연층이 형성된 내부 전극; 및상기 플라스마 생성관의 외부에서 상기 제 1 공간을 에워싸며, 접지된 외부 전극을 포함하고,상기 제 2 플라스마 생성부는상기 제 2 공간의 외부에서 상기 플라스마 생성관에 복수 회 감기는 안테나를 포함하고,상기 내부 전극과 상기 안테나에 전압을 인가하는 교류 전원; 및상기 내부 전극과 상기 안테나에 인가되는 전압 비를 조절하는 가변 커패시터를 더 포함하는 플라스마 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 플라스마 생성부는상기 제 1 공간에 위치하며, 표면에 절연층이 형성된 제 1 내부 전극; 및상기 플라스마 생성관의 외부에서 상기 제 1 공간을 에워싸며, 접지된 제 1 외부 전극을 포함하고,상기 제 2 플라스마 생성부는상기 제 2 공간에 위치하며, 표면에 절연층이 형성된 제 2 내부 전극; 및상기 플라스마 생성관의 외부에서 상기 제 2 공간을 에워싸며, 접지된 제 2 외부 전극을 포함하고,상기 제 1 내부 전극과 상기 제 2 내부 전극에 전압을 인가하는 교류 전원; 및상기 제 1 내부 전극과 상기 제 2 내부 전극에 인가되는 전압 비를 조절하기 위한 인덕터와 가변 커패시터를 포함하는 플라스마 발생 장치
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 플라스마 생성관 외부에 제공되며, 상기 제1공간과 상기 제 2 공간에 직류 자기장을 형성하는 자석을 더 포함하는 플라스마 발생 장치
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