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질화물 반도체 물질 및 그 제조 방법(NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017001259
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 물질 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 물질은 붕소, 갈륨 및 질소를 포함하고, 붕소 및 갈륨의 조성에 따라 자외선 영역의 밴드갭 에너지를 조절하는 육방정 질화붕소갈륨을 포함한다.
Int. CL
CPC C09K 11/63(2013.01) C09K 11/63(2013.01) C09K 11/63(2013.01) C09K 11/63(2013.01)
출원번호/일자 1020150103053 (2015.07.21)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0011087 (2017.02.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동영 대한민국 전라남도 여수시 신월*길 **
2 김종규 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0707122-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0117570-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0670605-96
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1132106-27
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.11.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1132107-73
7 등록결정서
Decision to grant
2017.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0212432-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
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챔버 내에 육방정 질화붕소를 배치하는 단계; 및상기 육방정 질화붕소의 붕소 원자 일부를 갈륨 원자로 치환하여 이차원 층상 구조의 육방정 질화붕소갈륨을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 물질의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 육방정 질화붕소갈륨을 형성하는 단계에서는 상기 육방정 질화붕소에 갈륨 이온을 조사하고, 열처리를 수행하여 상기 육방정 질화붕소의 붕소 원자 일부를 갈륨 원자로 치환하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 물질의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 육방정 질화붕소갈륨을 형성하는 단계에서는 상기 챔버 내에 수소, 암모니아 및 염화갈륨을 주입하여 상기 육방정 질화붕소의 식각된 영역을 갈륨 및 질소 결합으로 치환하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 물질의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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