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소재가 구비된 챔버 내부를 진공으로 형성하는 단계,플라즈마 소스를 통해 반응성 가스를 분해하여 증착 물질을 소재에 플라즈마 화학 기상 증착하는 단계,플라즈마 화학 기상 증착시 소재 표면에 이온빔 소스를 통해 이온빔을 가하는 단계, 및상기 챔버 내부에서 소재를 연속적으로 이동시키는 단계를 포함하고,상기 플라즈마 화학 기상 증착 단계와 이온빔을 가하는 단계에서, 상기 플라즈마 소스와 이온빔 소스는, 양극과 음극으로 교차하여 구동되거나 교대로 구동되는 플라즈마 화학 기상 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 증착 물질은 절연성 산화물 또는 질화물을 포함하는 무기물 박막인 플라즈마 화학 기상 증착 방법
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진공의 공간을 형성하며 소재에 대한 증착이 이루어지는 챔버,상기 챔버 내부에 설치되고 플라즈마를 형성하여 증착 물질을 소재에 플라즈마 화학 기상 증착시키기 위한 적어도 하나 이상의 플라즈마 소스, 및상기 챔버 내부에 상기 플라즈마 소스와 이웃하여 배치되어 소재 표면을 향해 이온 빔을 가하는 적어도 하나 이상의 이온빔 소스를 포함하고,상기 플라즈마 소스 또는/및 상기 이온빔 소스는 사인파, 펄스파 또는 사각파, 유니폴라(unipolar), 바이폴라(bipolar) 전압으로 운전되며,상기 플라즈마 소스와 이온빔 소스는, 음극과 양극으로 교차하여 구동되거나 교대로 구동되는 구조의 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제 6 항에 있어서,상기 플라즈마 소스 또는/및 상기 이온빔 소스는 DC, LF, MF 또는 RF 주파수로 운전되는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제 6 항에 있어서,상기 이온빔 소스는 불활성 가스 이온 또는 반응성 가스 이온을 발생시키는 구조의 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제 6 항, 제 7 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이온빔 소스는, 일면에 방전 공간을 가지며, 내부에 상기 방전 공간으로 가스를 공급하기 위한 가스 공급홀들을 갖는 몸체; 상기 몸체 일면에 상기 방전 공간을 노출하도록 구비되며, 전원의 인가없이 부유(floating)되는 음극; 상기 방전 공간의 내부에 상기 음극과 이격되도록 구비되며, 외부로부터 인가되는 구동 전원과 연동하여 상기 음극과 사이에서 전기장을 형성하여 상기 가스를 이온화하는 양극; 상기 몸체에 결합하며 상기 가스 공급홀들과 연통되는 내부 공간을 형성하는 하우징; 상기 하우징의 외부에서 상기 하우징을 관통하여 상기 하우징 내부 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급관; 및 상기 하우징 내부 공간에 상기 가스 공급홀들을 커버하도록 배치되며, 상기 내부 공간의 가스를 상기 가스 공급홀들로 균일하게 공급하기 위한 가스 분배판을 포함하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제 10 항에 있어서,상기 플라즈마 소스와 이온빔 소스 사이로 반응성 가스가 주입되는 구조의 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제 10 항에 있어서,상기 플라즈마 소스와 이온빔 소스는 각도를 두고 서로 마주하도록 배치된 구조의 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제 14 항에 있어서,상기 플라즈마 소스와 이온빔 소스의 배치 각도는 90°내지 180°인 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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