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기판을 준비하는 단계(단계 1);상기 기판 상에 감광제를 스핀 코팅하여 감광제 층을 형성하는 단계(단계 2);상기 감광제 층의 일부를 노광하여 복수의 홀 어레이를 형성하는 단계(단계 3);상기 형성된 복수의 홀 하부를 식각하는 단계(단계 4);상기 식각된 홀 하부의 표면 및 측면을 고분자 물질로 코팅하는 단계(단계 5); 상기 코팅된 홀 하부의 기판 일부를 식각하는 단계 (단계 6);상기 단계 5의 고분자 코팅과 상기 단계 6의 식각을 반복 수행하여 월의 깊이 및 깊이 방향 형태를 조절하는 단계(단계 7); 및상기 감광제 층을 제거하고, 건식 산화공정 및 BOE를 사용한 습식식각을 수행하여 깊이 방향으로 물결 형태의 오목부 또는 볼록부가 주기적으로 형성된 3차원 주기성을 갖는 나노 월 구조를 포함하는 광소자를 제조하는 단계(단계 8);를 포함하는 3차원 주기성을 갖는 나노 월 구조를 포함하는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 8은, 상기 감광제 층을 제거하고, 상기 단계 7에서 상기 깊이 및 깊이 방향 형태가 조절된 월에 건식 산화공정을 통해 산화막을 형성시키는 단계; 및BOE(Buffer oxide etcher)를 사용하여 상기 산화막을 제거하는 단계(단계b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 주기성을 갖는 나노 월 구조를 포함하는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 3의 복수의 홀 어레이는,포토리소그래피(photolithography), 나노 임프린트 리소그래피(Nano imprint lithography), 레이저 간섭 리소그래피(Laser interference lithography) 및 전자빔 리소그래피(E-beam lithography), 나노 스피어 리소그래피(Nanosphere lithography) 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 월 구조를 포함하는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 5의 고분자 물질은, C4F8, CF2 계 화합물 및 플루오르-도핑된 실리카 중 어느 하나의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 월 구조를 포함하는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 4 및 단계 6의 식각은, 육불화황(SF6), 사불화탄소(CF4) 및 산소(O2)를 포함하는 기체를 이용하여 건식식각 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 월 구조를 포함하는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 복수의 홀 각각의 직경은 10nm 내지 3um인 것을 특징으로 하는 나노 월 구조를 포함하는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 복수의 나노 월 각각의 두께는 10nm 내지 1um인 것을 특징으로 하는 나노 월 구조를 포함하는 광소자의 제조방법
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삭제
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깊이 방향으로 물결 형태의 오목부 또는 볼록부가 주기적으로 형성된 3차원 주기성을 갖는 나노 월 구조를 포함하는 광소자
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제9항에 있어서,상기 광소자는 광흡수 특성이 향상된 것을 특징으로 하는 3차원 주기성을 갖는 나노 월 구조를 포함하는 광소자
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기판을 준비하는 단계; 및상기 기판을 식각하여 나노 월을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 나노 월의 내부는 아래 방향으로 물결 형태의 오목부 또는 볼록부가 주기적으로 형성된 것 및 광흡수 특성이 향상된 것을 특징으로 하는 3차원 주기성을 갖는 나노 월 구조를 포함하는 광소자의 제조 방법
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