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제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성된 광흡수층; 상기 광흡수층 상에 형성된 정공수송층; 및 상기 정공수송층 상에 형성된 제2 전극;을 포함하고,상기 정공수송층은 하기 화학식 1로 표시되는 공중합체를 포함하고,상기 광흡수층은 금속산화물 및 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물을 포함하고, 상기 공중합체의 주사슬은 상기 광흡수층의 표면과 수평방향으로 배향되고,상기 공중합체는 π-π 스태킹(π-π stacking)을 형성하는 것인페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 R이 C3 내지 C10의 직쇄형 알킬기인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제2항에 있어서,상기 R이 헥실기인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 공중합체가 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 중합하여 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 공중합체의 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제4항에 있어서,상기 공중합체의 제조방법이,(1) 상기 화학식 2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 및 마그네슘 화합물을 포함하는 용액을 제조하는 단계; 및(2) 상기 용액에 중합개시제를 첨가하여 공중합체를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제5항에 있어서,상기 마그네슘 화합물이 이소프로필 마그네슘 클로라이드, 이소프로필 마그네슘 브로마이드, 터셔리-부틸 마그네슘 클로라이드, 및 터셔리-부틸 마그네슘 브로마이드 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제5항에 있어서,상기 중합개시제가 Ni(dppp)Cl2, Ni(dppe)Cl2, 및 Ni(dppf)Cl2 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제1 전극이 플루오린 틴 옥사이드(FTO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 주석계 산화물 및 산화아연 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물은 CH3NH3PbI3-xClx(0≤x≤3인 실수), CH3NH3PbI3-xClx(0≤x≤3인 실수), H3NH3PbI3-xClx(0≤x≤3인 실수), CH3NH3PbI3-xBrx(0≤x≤3인 실수), CH3NH3PbCl3-xBrx(0=x≤3인 실수) 및 CH3NH3PbI3-xFx(0=x≤3인 실수) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 금속산화물이 티탄, 알루미늄, 주석, 아연, 텅스텐, 지르코늄, 갈륨, 인듐, 이트륨, 니오브, 탄탈 및 바나듐 중에서 선택된 1종 이상의 금속의 산화물인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제1 전극이 상기 광흡수층과 접하는 면의 반대측 면에 기재를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제17항에 있어서,상기 기재가 유리기재, 전도성 투명기재 또는 플라스틱 기재를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양 전지
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