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다중저항변화 메모리소자(Multiple resistance random access memory device)

  • 기술번호 : KST2017001490
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 다중저항변화 메모리소자는 기판(100); 상기 기판(100) 상에 적층되는 절연막(110); 상기 절연막(110) 상에 형성되는 하부 전극(120); 상기 하부 전극(120) 상에 형성되는 하부 저항변화막(130); 상기 하부 저항변화막(130)의 상부 방향으로 이격된 상태로 배치되는 상부 저항변화막(150); 상기 저항변화막(130,150) 사이에 배치되는 전하저장층(140); 및 상기 상부 저항변화막(150)의 상단에 접촉 배치되는 상부 전극(160);을 포함한다.
Int. CL
CPC H01L 45/141(2013.01) H01L 45/141(2013.01) H01L 45/141(2013.01)
출원번호/일자 1020150108472 (2015.07.31)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0014696 (2017.02.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.31)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성율 대한민국 대전광역시 유성구
2 신광혁 대한민국 대전광역시 유성구
3 장병철 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0744909-47
2 보정요구서
Request for Amendment
2015.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0128399-62
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0787299-35
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0020730-89
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0457071-72
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0831719-79
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-1282691-33
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1282692-89
10 등록결정서
Decision to grant
2017.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0353887-86
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0497827-43
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판(100);상기 기판(100) 상에 적층되는 절연막(110);상기 절연막(110) 상에 형성되는 하부 전극(120);상기 하부 전극(120) 상에 형성되는 하부 저항변화막(130);상기 하부 저항변화막(130)의 상부 방향으로 이격된 상태로 배치되는 상부 저항변화막(150);상기 하부 저항변화막(130)과 상기 상부 저항변화막(150) 사이에 배치되는 전하저장층(140); 및상기 상부 저항변화막(150)의 상단에 접촉 배치되는 상부 전극(160);을 포함하고,상기 전하저장층(140)은 2차원 소재인 전이금속 칼코겐화합물이고, 상기 전하저장층(140)에 인가되는 전압을 조절하여 상기 전하저장층(140)에 저장된 전하의 양을 조절하여 다중 저항상태를 가지는 비휘발성 저항변화 메모리소자를 구현하고, 상기 상부/하부 저항변화막(150, 130)의 conduction band 또는 valence band의 에너지 레벨은 상기 전하저장층(140)의 conduction band 또는 valence band 보다 큰 값을 유지하고, 이를 통해서 상기 전하저장층(140)은 전하 저장을 할 수 있는,저항변화 메모리소자
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전하저장층(140)은 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, 및 WTe2 등을 포함하는 그룹 중 어느 하나인,저항변화 메모리소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 상부/하부 저항변화막(150, 130)은 HfOx, TiOx, NiOx, SiOx, AlOx, Metal oxide 및 organic, polymer 저항변화 절연막 등을 포함하는 그룹 중 어느 하나인,저항변화 메모리소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 하부 저항변화막(130)과 상부 저항변화막(150)은 서로 상이한,저항변화 메모리소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 하부 전극(120) 및 상부 전극(160)은 상호 직교하는,저항변화 메모리소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 글로벌프론티어사업 2D/저차원 소재 기반 소프트 기능소자 기술 개발