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하기 화학식 1로 표시되는 이리듐(III) 착화합물
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제 1항에 있어서,상기 화학식 1에서 은, 4-알콕시피콜리닉산, 4-알킬옥시알콕시피콜리닉산, 4-알킬아민피콜리닉산, 4-아릴아민피콜리닉산, 4-아미노알킬아민피콜리닉산, 4-알콕시피콜리닉산-N-옥사이드, 4-알킬옥시알코시피콜리닉산-N-옥사이드, 4-알킬아민피콜리닉산-N-옥사이드, 4-아릴아민피콜리닉산-N-옥사이드, 4-아미노알킬아민피콜리닉산-N-옥사이드, 아세틸아세톤, 테트라메틸헵탄 다이온인 것을 특징으로 하는 이리듐(Ⅲ) 착화합물
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제 1항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은 오렌지, 오렌지-레드, 레드 영역의 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 이리듐(III) 착화합물
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4
제 1항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물이 하기 화합물 중 선택된 어느 하나인 이리듐(Ⅲ)착화합물
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(1) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시켜, 하기 화학식 4로 표시되는 퀴놀린 유도체와 페닐 유도체를 포함하는 주리간드 화합물을 생성하는 단계;(2) 상기 주리간드 화합물을 이리듐할라이드 수화물(IrX3 · 3H2O)과 반응시켜 할로겐-가교화 이합체를 생성하는 단계; 및(3) 상기 할로겐-가교화 이합체와, 피콜리닉산 또는 테트라메틸 헵탄다이온을 혼합하여 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 이리듐(III) 착화합물을 합성하는 단계를 포함하는, 이리듐(III) 착화합물의 제조방법:[화학식 1](단, 상기 식에서,은 피콜리닉산 또는 테트라메틸헵탄 다이온이고, R은 o-CF3, m-CF3 또는 p-CF3이다
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6
제 5 항에 있어서,상기 이리듐(III) 착화합물은, 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 이리듐(III) 착화합물인 것을 특징으로 하는, 이리듐(III) 착화합물의 제조방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 이리듐(III) 착화합물을 발광층에 포함하는 유기전계발광소자
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제 7 항에 있어서,상기 유기전계발광소자는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극과 대향적으로 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 발광층은 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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제 7 항에 있어서,상기 제 1 전극과 발광층 사이로 정공주입층 및 정공전달층을, 상기 발광층과 제 2 전극 사이로 전자주입층 및 전자전달층을 더욱 포함하는 유기전계발광소자
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10
제 7 항에 있어서,상기 이리듐(III) 착화합물을 발광층의 도판트로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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11
제 7 항에 있어서,상기 이리듐(III) 착화합물은 발광층 총량을 기준으로 1~30 중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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제 7 항에 따른 유기전계발광소자를 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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제 7 항에 따른 유기전계발광소자를 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 면발광 광원
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