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백게이트; 상기 백게이트의 일면에 구비된 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층의 일면에 반도체성 이차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물이 증착되어 형성되는 채널층; 상기 채널층의 일면에 금속성 이차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물이 증착되어 각각 형성되는 소스-드레인전극; 및상기 채널층과 상기 소스-드레인전극의 계면에 상기 반도체성 이차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물 및 상기 금속성 이차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물의 합금이 형성되어 오믹 접합이 이루어지는 컨택층;을 포함하는 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 반도체성 이차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물은 MoS2, MoSe2, WS2 및 WSe2 중 어느 하나가 선택되는, 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 금속성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물은 NbS2 및 NbSe2 중 어느 하나가 선택되는, 트랜지스터
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제 1항에 있어서,게이트 절연층(20)은 SiO2, Al2O3, HfO2, Ta2O5 중 어느 하나가 선택되는, 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 컨택층에 형성되는 합금은 NbxW1-xSe2 인, 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 채널층의 두께는 1nm 내지 5nm 인, 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 소스-드레인 전극의 두께는 3nm 내지 10nm 인, 트랜지스터
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백게이트를 준비하는 단계;게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층의 일면에 반도체성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물이 증착하여 채널층을 형성하는 단계; 및상기 채널층과 오믹 접합을 형성하도록 상기 채널층의 일면에 금속성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물을 증착하여 한쌍의 소스-드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 채널층을 형성하는 단계는,상기 기판의 일면에 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층의 일면에 채널층 패턴을 형성하는 단계;상기 채널층 패턴이 상기 기판의 일면에 형성되도록 스퍼터링, 열기상증착법 및 전자빔 기상증착법 중 어느 하나를 선택하여 상기 기판의 일면에 MoO3 또는 WO3를 증착하는 단계; 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및 칼코지나이드 고체 소스를 기화하여 상기 MoO3 또는 WO3이 증착된 상기 기판의 일면에 증착하는 단계;를 포함하는 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 소스-드레인 전극을 형성하는 단계는 상기 기판의 일면에 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층의 일면에 소스-드레인 전극 패턴을 형성하는 단계;상기 소스-드레인 전극 패턴이 상기 기판의 일면에 형성되도록 스퍼터링, 열기상증착법 및 전자빔 기상증착법 중 어느 하나를 선택하여 상기 기판의 일면에 MoO3 또는 Nb2O5를 증착하는 단계; 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및 칼코지나이드 고체 소스를 기화하여 상기 Nb2O5이 증착된 상기 기판에 증착하는 단계;를 포함하는 트랜지스터의 제조방법
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제9항 또는 제10항에 있어서, 칼코지나이드 고체 소스를 기화하여 상기 기판에 증착하는 단계는,상기 채널층 패턴 또는 상기 소스-드레인 전극 패턴이 형성된 기판을 CVD 장치 챔버 내부에 배치하는 단계; 상기 챔버 내부에 아르곤(Ar) 및 수소(H2) 가스를 공급하는 단계;상기 챔버 내부에 황(Sulfur) 또는 셀레늄(Selenium) 고체 소스를 공급하는 단계; 상기 챔버 내부는 일정한 압력을 유지하고, 1시간 내지 2시간 내에 일정한 온도범위로 상승시키는 단계;상기 챔버 내부는 일정한 압력 및 일정한 온도범위에서 50분 내지 70분 동안 유지하는 단계; 상기 CVD 장치의 소스히터는 1시간 내지 2시간 내에 일정한 온도범위로 상승시키는 단계; 및상기 아르곤(Ar) 및 수소(H2) 가스의 공급을 차단하고 온도를 하강시키는 단계;를 포함하는, 트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 챔버 내부의 일정한 압력은 100 내지 800 torr 범위 내에서 설정되는, 트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 챔버의 일정한 온도는 700℃ 내지 1100℃ 범위에서 설정되는, 트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 소스히터의 일정한 온도는 200℃ 내지 500℃ 범위에서 설정되는, 트랜지스터의 제조방법
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