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하나의 물질로 형성되는 나노 구조체; 및상기 나노 구조체 상에 상기 나노 구조체의 형상을 유지시키도록 코팅되는 제1 투명 전도체를 포함하되,상기 나노 구조체는 결정질(Crystalline)인 투명 전극
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제 1항에 있어서,상기 나노 구조체 아래에 위치하고, 상기 제1 투명 전도체의 하면과 결합되어 상기 나노 구조체를 코팅하는 제2 투명 전도체를 더 포함하는 투명 전극
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제 2항에 있어서,상기 제2 투명 전도체는 상기 제1 투명 전도체와 동일한 물질을 포함하는 투명 전극
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제 2항에 있어서,상기 제2 투명 전도체는 ITO(Indium-tin-oxide), AZO(Aluminum-zinc-oxide), 산화주석(tin-oxide), 산화 인듐(In2O3), Pt, Au 또는 IZO(Indium-zinc-oxide) 중에서 적어도 하나를 포함하는 투명 전극
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제 2항에 있어서,상기 나노 구조체는 상기 제2 투명 전도체의 표면의 10 내지 70%를 덮는 투명 전극
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제 2항에 있어서,상기 제2 투명 전도체 아래에 형성되는 기판을 더 포함하는 투명 전극
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제 2항에 있어서,상기 나노 구조체의 표면은 상기 제1 및 제2 투명 전도체에 의해 완전히 둘러싸이는 투명 전극
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제1 항에 있어서,상기 나노 구조체 아래에 형성되는 기판을 더 포함하고,상기 나노 구조체의 표면은 상기 제1 투명 전도체 및 상기 기판에 의해 완전히 둘러싸이는 투명 전극
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제 1항에 있어서,상기 나노 구조체는 Ag, Ni, Au, Al, Cu, 실리사이드(Silicide) 및 저마나이드(Germanide) 중 어느 하나를 포함하는 투명 전극
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제 1항에 있어서,상기 나노 구조체는 나노 와이어 및 나노 입자 중 적어도 하나를 포함하는 투명 전극
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제 1항에 있어서,상기 제1 투명 전도체는 ITO(Indium-tin-oxide), AZO(Aluminum-zinc-oxide), 산화주석(tin-oxide), 산화 인듐(In2O3), Pt, Au 또는 IZO(Indium-zinc-oxide) 중에서 적어도 하나를 포함하는 투명 전극
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제 1항에 있어서,상기 제1 투명 전도체의 두께는 10 내지 500nm인 투명 전극
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하나의 물질로 형성되는 나노 구조체를 형성하고,상기 나노 구조체 상에 제1 투명 전도체를 형성하여 상기 나노 구조체를 코팅하는 것을 포함하되, 상기 제1 투명 전도체는 결정질인 투명 전극 제조 방법
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제 13항에 있어서,상기 제1 투명 전도체는 ITO(Indium-tin-oxide), AZO(Aluminum-zinc-oxide), 산화주석(tin-oxide), 산화 인듐(In2O3), Pt, Au 또는 IZO(Indium-zinc-oxide) 중에서 적어도 하나를 포함하는 투명 전극 제조 방법
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제 13항에 있어서,상기 나노 구조체는 나노 입자 및 나노 와이어 중 적어도 하나를 포함하는 투명 전극 제조 방법
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제 13항에 있어서,상기 나노 구조체를 형성하는 것은,제2 투명 전도체를 형성하고,상기 제2 투명 전도체 상에 상기 나노 구조체를 형성하는 것을 포함하는 투명 전극 제조 방법
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제 16항에 있어서,상기 제1 투명 전도체를 형성하는 것은,상기 제1 투명 전도체를 200 내지 900℃ 사이에서 증착하는 것을 포함하고,상기 제2 투명 전도체를 형성하는 것은 상기 제2 투명 전도체를 200 내지 900℃ 사이에서 증착하는 것을 포함하는 투명 전극 제조 방법
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제 16항에 있어서,상기 제1 투명 전도체 및 제2 투명 전도체를 형성하는 것은,상기 제1 투명 전도체 및 제2 투명 전도체를 상온(Room temparature)에서 증착하고, 증착된 상기 제1 투명 전도체 및 제2 투명 전도체를 200 내지 900℃ 사이에서 열처리하는 것을 포함하는 투명 전극 제조 방법
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