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게이트 구조물 상의 제1 영역에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 및 게이트 구조물 상에 형성된 p-n 접합 이황화몰리브덴층; 및상기 p-n 접합 이황화몰리브덴층 상에 형성되고, 상기 제1 영역에 대향하는 제2 영역에 형성된 상부 전극을 포함하는 p-n 접합 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 게이트 구조물은,게이트층; 및상기 게이트층 상부에 형성되고, 상기 p-n 접합 이황화몰리브덴층과 접하는 유전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 트랜지스터
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제2항에 있어서, 상기 p-n 접합 이황화몰리브덴층은,상기 유전층 및 상기 하부 전극 상에 형성되는 n형 이황화몰리브덴층; 및상기 n형 이황화몰리브덴층 상에 형성되는 p형 이황화몰리브덴층을 포함하는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 트랜지스터
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제3항에 있어서, 상기 n형 이황화몰리브덴층은 벤질 비올로겐을 도판트로 사용하는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 트랜지스터
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제3항에 있어서, 상기 p형 이황화몰리브덴층은 AuCl3을 도판트로 사용하는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 트랜지스터
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제3항에 있어서, 상기 n형 이황화몰리브덴층은 상기 유전층 및 상기 하부 전극의 표면 프로파일을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 트랜지스터
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7
제1항에 있어서, 상기 p-n 접합 이황화몰리브덴층의 접합면은 상기 게이트 구조물의 표면과 평행한 것을 특징으로 하는 p-n 접합 트랜지스터
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8
제3항에 있어서, 상기 게이트층에 인가되는 양의 전압에 따라 상기 n형 이황화몰리브덴층은 상기 유전층에 근접하여 전자들로 구성된 제1 도전성 채널을 가지고, 상기 p형 이황화몰리브덴층은 그 상부에 정공들로 구성된 제2 도전성 채널을 가지는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 트랜지스터
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9
제3항에 있어서, 상기 게이트층에 인가되는 음의 전압에 따라 상기 n형 이황화몰리브덴층은 상기 유전층에 근접하여 정공들로 구성된 제1 도전성 채널을 가지고, 상기 p형 이황화몰리브덴층은 그 상부에 전자들로 구성된 제2 도전성 채널을 가지는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 트랜지스터
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10
제2항에 있어서, 상기 p-n 접합 이황화몰리브덴층은,상기 유전층 및 상기 하부 전극 상에 형성되는 p형 이황화몰리브덴층; 및상기 p형 이황화몰리브덴층 상에 형성되는 n형 이황화몰리브덴층을 포함하는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 트랜지스터
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제1 전사 기판 상의 이황화몰리브덴 플레이크의 일부를 제1 도전형 이황화몰리브덴층으로 개질하는 단계;상기 제1 도전형 이황화몰리브덴층이 형성된 상기 이황화몰리브덴 플레이크를 제2 전사 기판으로 전사하는 단계;가 전사된 제2 전사 기판 상에 접합된 상기 이황화몰리브덴 플레이크를 하부 전극이 형성된 게이트 구조물 상에 전사하는 단계; 및상기 게이트 구조물 상에 전사된 상기 이황화몰리브덴 플레이크의 도핑되지 않은 이황화몰리브덴층에 대한 도핑을 통해 제2 도전형 이황화몰리브덴층을 형성하는 단계를 포함하는 p-n 접합 트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 제1 도전형 이황화몰리브덴층으로 개질하는 단계는,PVA층 및 PMMA층이 순차적으로 형성된 제1 전사 기판 상에 상기 이황화몰리브덴 플레이크를 전사하는 단계; 및상기 이황화몰리브덴 플레이크에 대한 도핑을 통해 상기 이황화몰리브덴 플레이크의 일부를 제1 도전형 이황화몰리브덴층으로 개질하고, 그 하부의 상기 도핑되지 않은 이황화몰리브덴층을 잔류시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 트랜지스터의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 이황화몰리브덴 플레이크를 제2 전사 기판으로 전사하는 단계는,상기 제1 도전형 이황화몰리브덴층이 형성된 상기 이황화몰리브덴 플레이크를 상기 제1 전사 기판으로부터 분리하는 단계; 및상기 분리된 이황화몰리브덴 플레이크를 제2 전사 기판에 접합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 트랜지스터의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 이황화몰리브덴 플레이크를 상기 제1 전사 기판으로부터 분리하는 단계는, 상기 제1 도전형 이황화몰리브덴층이 형성된 상기 제1 전사 기판을 탈염수에 침지하는 단계; 및상기 탈염수로의 침지를 통해 상기 PVA층은 용해되고, 상기 제1 전사 기판과 상기 PMMA층은 상호 분리되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 트랜지스터의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 분리된 이황화몰리브덴 플레이크를 상기 제2 전사 기판에 접합하는 단계는, 상기 제2 전사 기판에 PDMS층을 도입하고, 상기 이황화몰리브덴 플레이크가 형성된 상기 PMMA층을 상기 PDMS층에 접합하는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 트랜지스터의 제조방법
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