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(a) 루테늄 박막을 마스크로 패터닝하여 마스킹하는 단계;(b) 메탄계 가스 10 ~ 40 vol%, 산소계 가스 10 ~ 70 vol% 및 불활성 가스 20 ~ 70 vol%를 함유하는 혼합가스를 플라즈마화하는 단계; 및 (c) 상기 (b) 단계에서 생성된 플라즈마를 이용하여 (a) 단계에서 마스킹된 루테늄 박막을 식각하는 단계를 포함하는 루테늄 박막의 식각방법
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제1항에 있어서, 상기 메탄계 가스는 CH4, C2H6 및 C3H8로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 루테늄 박막의 식각방법
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제1항에 있어서, 상기 불활성 가스는 He, Ne, Ar 및 N2로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 루테늄 박막의 식각방법
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제1항에 있어서, 상기 산소계 가스는 O2, O3, H2O, CO, CO2, N2O 및 NO2로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 루테늄 박막의 식각방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 혼합가스는 메탄계 가스 10 ~ 30 vol%, 산소계 가스 40 ~ 70 vol% 및 불활성 가스 20 ~ 40 vol%를 함유하는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막의 식각방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 플라즈마화는 0
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 플라즈마화는 유도결합플라즈마 반응성 이온식각법을 포함하는 고밀도 플라즈마 반응성 이온식각법, 자기증강반응성 이온식각법 및 반응성 이온 식각법으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막의 식각방법
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