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(1) 환원 반응을 위한 가열존을 갖는 반응기를 준비하는 단계;(2) 상기 가열존에 니켈 전구체 증기 및 수소 가스를 공급하는 단계;(3) 상기 니켈 전구체 증기를 상기 수소 가스와 800~1300℃ 온도에서 환원 반응시켜 니켈 핵을 생성하는 단계; 및(4) 상기 니켈 핵을 니켈 미세입자로 성장시켜 반응기 외부로 배출하는 단계를 포함하되,상기 환원 반응의 속도를 조절하여 상기 니켈 미세입자의 형상을 육면체, 구, 또는 잘린 팔면체로 제어하고,상기 환원 반응이, 상기 가열존의 체적을 VR(cm3), 상기 니켈 전구체 증기가 상기 가열존에 공급되는 유속을 FR(sccm), 및 상기 환원 반응의 온도를 RT(℃)라 할 때,i) 0 003c# FR/VR 003c# 1/636 이거나, 또는 ii) 1/636 ≤ FR/VR 및 하기 수학식 1을 만족하는 조건으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 니켈 미세입자의 형상 제어 방법:003c#수학식 1003e#X/636 003c# [RT/VR] - 25 x [FR/VR] 003c# Y/636상기 수학식 1에서, X = 600 및 Y = 850 이거나, 또는X = 900 및 Y = 1500 이다
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제 1 항에 있어서,상기 환원 반응이 2/636 ≤ FR/VR 및 상기 수학식 1을 만족하는 조건으로 수행되고,상기 수학식 1에서 X = 650 ℃ 및 Y = 850 ℃ 이며,상기 니켈 미세입자가 육면체 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 니켈 미세입자의 형상 제어 방법
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제 3 항에 있어서,상기 환원 반응이 3/636 ≤ FR/VR 및 상기 수학식 1을 만족하는 조건으로 수행되고,상기 수학식 1에서 X = 700℃ 및 Y = 850℃ 이며,상기 니켈 미세입자가 육면체 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 니켈 미세입자의 형상 제어 방법
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제 3 항에 있어서,상기 니켈 미세입자가 정육면체 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 니켈 미세입자의 형상 제어 방법
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제 1 항에 있어서,상기 환원 반응이 2/636 ≤ FR/VR 및 상기 수학식 1을 만족하는 조건으로 수행되고,상기 수학식 1에서 X = 900℃ 및 Y = 1200℃ 이며,상기 니켈 미세입자가 구 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 니켈 미세입자의 형상 제어 방법
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제 6 항에 있어서,상기 환원 반응이 2/636 ≤ FR/VR 및 상기 수학식 1을 만족하는 조건으로 수행되고,상기 수학식 1에서 X = 900℃ 및 Y = 1100℃ 이며,상기 니켈 미세입자가 구 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 니켈 미세입자의 형상 제어 방법
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제 1 항에 있어서,상기 환원 반응이 0
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제 1 항에 있어서,상기 니켈 전구체의 증기가 염화니켈의 증기인 것을 특징으로 하는, 니켈 미세입자의 형상 제어 방법
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제 1 항에 있어서,상기 니켈 미세입자의 배출이 상기 가열존 내의 등온 구간에서 이루어지는 것을 특징으로 하는, 니켈 미세입자의 형상 제어 방법
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제 1 항에 있어서,상기 니켈 미세입자가 10~400nm의 평균 크기를 갖는 것을 특징으로 하는, 니켈 미세입자의 형상 제어 방법
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