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유연성 기재 상에 서로 이격되어 형성된 하부 전극 및 게이트 전극;상기 하부 전극과 연결되며, 상기 하부 전극의 수직 방향으로 패터닝된 그래핀층을 포함하는 소스 전극;상기 소스 전극 상에 형성된 유기 반도체 채널 영역;상기 유기 반도체 채널 영역 및 상기 유연성 기재와 연결되며, 상기 소스 전극의 수직 방향으로 형성된 드레인 전극; 및상기 게이트 전극 및 상기 유기 반도체 채널 영역 상에 형성된 절연체층을 포함하는, 그래핀-유기 반도체 수직형 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 유연성 기재는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리(디메틸실록산), 폴리카보네이트, 폴리에테르설폰, 폴리이미드, 폴리아크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리비닐, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 그래핀-유기 반도체 수직형 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀층은 단일층인 것을 포함하는 것인, 그래핀-유기 반도체 수직형 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체 채널 영역은 펜타센, 테트라센, 안트라센, 나프탈렌, 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 풀러렌, 페릴렌 및 그 유도체, 루브렌 및 그 유도체, 코로넨 및 그 유도체, 페릴렌 테트라카르복실릭 디이미드 및 그 유도체, 페릴렌 테트라카르복실릭 디안하이드라이드 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기 반도체 물질을 포함하는 것인, 그래핀-유기 반도체 수직형 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 절연체층은 이온 겔 고분자 전해질을 포함하는 것인, 그래핀-유기 반도체 수직형 트랜지스터
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제 5 항에 있어서,상기 이온 겔 고분자 전해질은 폴리스티렌, 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리에틸렌이민, 폴리메틸 메타크릴레이트, 이들의 공중합체, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 고분자 물질을 포함하는 것인, 그래핀-유기 반도체 수직형 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 하부 전극, 상기 게이트 전극, 및 상기 드레인 전극은 각각 독립적으로 Ag, Pt, Au, Al, Cu, Ni, Pd, Mo, Ca, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 포함하는 것인, 그래핀-유기 반도체 수직형 트랜지스터
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유연성 기재 상에 서로 이격된 하부 전극 및 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극과 수직 방향으로 연결되는 그래핀층을 패터닝하여 소스 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 상에 유기 반도체 채널 영역을 형성하는 단계;상기 소스 전극의 수직 방향이면서, 상기 유기 반도체 채널 영역 및 상기 유연성 기재와 연결되는 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 게이트 전극 및 상기 유기 반도체 채널 영역 상에 절연체층을 형성하는 단계를 포함하는, 그래핀-유기 반도체 수직형 트랜지스터의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 패터닝된 그래핀층은 금속 촉매층 상에서 화학기상증착법에 의하여 형성되는 그래핀을 패터닝하여 형성되는 것인, 그래핀-유기 반도체 수직형 트랜지스터의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 절연체층은 이온 겔 고분자 전해질을 포함하는 것인, 그래핀-유기 반도체 수직형 트랜지스터의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 절연체층의 형성은 포토리소그라피에 의해 수행되는 것인, 그래핀-유기 반도체 수직형 트랜지스터의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 하부 전극, 상기 게이트 전극, 및 상기 드레인 전극은 각각 독립적으로 열 증착법 또는 스퍼터링에 의해 형성되는 것인, 그래핀-유기 반도체 수직형 트랜지스터의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 유기 반도체 채널 영역은 펜타센, 테트라센, 안트라센, 나프탈렌, 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 풀러렌, 페릴렌 및 그 유도체, 루브렌 및 그 유도체, 코로넨 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기 반도체 물질을 포함하는 것인, 그래핀-유기 반도체 수직형 트랜지스터의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 유기 반도체 채널 영역의 형성은, 열 증착법, 스핀코팅, 드랍캐스팅, 랭뮤어 블로드 젯(Langmuir Blodgett)법, 에어로졸 젯 프린팅, 잉크 젯 프린팅, 스크린 프린팅, 롤투롤 프린팅, 그라이바 프린팅, 플렉소그래픽 프린팅, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 방법에 의해 수행되는 것인, 그래핀-유기 반도체 수직형 트랜지스터의 제조 방법
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