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마그네슘 전지 음극 표면 처리용 화합물, 이를 이용한 마그네슘 전지 음극 표면 처리 방법 및 이에 의하여 표면 처리된 마그네슘 전지 음극(SURFACE TREATMENT COMPOSITION FOR MAGNESIUM RECHARGEABLE BATTERIES NEGATIVE ELECTRODE, SURFACE TREATMENT METHOD USING THE SAME, AND MAGNESIUM RECHARGEABLE BATTERIES INCLUDING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017002092
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 조성물, 이를 이용한 마그네슘 전지 음극 표면 처리 방법 및 이에 의하여 표면 처리된 마그네슘 전지 음극에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 음극 표면에 형성되는 산화마그네슘 산화막 형성을 저해, 제거할 수 있는 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 조성물, 이를 이용한 마그네슘 전지 음극 표면 처리 방법 및 이에 의하여 표면 처리된 마그네슘 전지 음극에 관한 것이다. 본 발명에 의한 마그네슘 전지 음극 표면 처리제는 마그네슘 전지의 음극 표면에 형성되는 산화마그네슘 산화막 형성을 효과적으로 저해, 제거하여 마그네슘의 증착/용출의 가역성을 높여 이러한 마그네슘 전지 음극 표면 처리제에 의하여 표면 처리된 음극를 포함하는 마그네슘 전지는 수명 특성 및 충방전 특성이 개선될 수 있다.
Int. CL H01M 4/04 (2006.01.01) H01M 4/134 (2010.01.01) H01M 10/054 (2010.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01)
CPC H01M 4/04(2013.01) H01M 4/04(2013.01) H01M 4/04(2013.01) H01M 4/04(2013.01) H01M 4/04(2013.01)
출원번호/일자 1020150115484 (2015.08.17)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0021096 (2017.02.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우상길 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 김영준 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 임태은 대한민국 서울특별시 도봉구
4 조우석 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 박민식 대한민국 경기도 수원시 영통구
6 정구진 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태선 대한민국 서울(해산으로 인한 퇴사 후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0793821-66
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1259423-85
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아래 화학식 1로 표시되는 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 화합물
2 2
제 1 항에 있어서, 제 1 항에 있어서, 상기 M1 은 Mg 이고, 상기 M2 는 Ti 인 것인 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 화합물
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 화합물은 F-NMR 측정시 -50
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 화합물은 F-NMR 측정시 -70
5 5
제 1 항에 의한 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 화합물을 포함하는 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 조성물
6 6
제 5 항에 의한 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 조성물에 마그네슘 전지용 음극을 침지시키는 단계; 및 표면 처리된 음극 표면을 세정하는 단계; 를 포함하는 마그네슘 전지 음극 표면 처리 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 침지시키는 단계에서 침지시간은 10시간 내지 30 시간인 것인 마그네슘 전지 음극 표면 처리 방법
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 마그네슘 전지 음극을 침지후 생성되는 부산물은 F-NMR 측정시 -75
9 9
제 5 항에 있어서, 상기 표면 처리된 음극 표면을 세정하는 단계에서는 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르 또는 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는 용매를 사용하는 것인 마그네슘 전지 음극 표면 처리 방법
10 10
제 5 항에 의하여 제조된 표면 처리된 마그네슘 전지 음극
11 11
제 10 항에 의한 마그네슘 전지 음극을 포함하는 마그네슘 전지
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 마그네슘 전지는 양극으로 V2O5를 포함하는 것인 마그네슘 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.