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기판상에 금속 촉매를 증착하여 금속 촉매층이 형성된 기판을 준비하는 단계(S110);상기 기판의 금속 촉매층 상에 화학기상증착법(chemical vapor deposition)을 이용하여 복수의 탄소나노튜브를 상기 기판의 표면에 대하여 수직방향으로 성장시켜 수직 정렬된 탄소나노튜브의 다발형태로 탄소나노튜브 구조체를 형성하는 단계(S120); 및상기 탄소나노튜브 구조체를 구성하는 각각의 탄소나노튜브 표면에 일정한 두께로 에너지물질을 담지시켜 탄소나노튜브-에너지물질 복합체를 형성하는 단계(S130);를 포함하며,상기 화학기상증착법(chemical vapor deposition)은 핫 필라멘트-열 화학기상증착법(Hot filament-Thermal chemical vapor deposition, Hot filament-Thermal CVD)이고,상기 핫 필라멘트-열 화학기상증착법은 금속 촉매층이 형성된 기판을 석영 튜브(Quartz tube)에 넣고 이동이 가능한 가열로(Furnace)를 탄소나노튜브를 형성하는 제1 온도로 가열하고, 필라멘트를 전압이 인가됨에 따라 제2 온도로 가열한 후, 상기 제1 온도로 가열된 가열로(Furnace)를 상기 기판이 위치하는 곳까지 이동시켜 상기 기판의 금속 촉매층 상에 탄소나노튜브를 형성하며,상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높은 온도인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-에너지물질 복합체 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브-에너지물질 복합체를 형성하는 단계(S130)에서는 탄소나노튜브 총 중량에 대하여 상기 에너지물질을 80 중량% 이상으로 담지시키는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-에너지물질 복합체 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 촉매는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 및 텅스텐(W)으로 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-에너지물질 복합체 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 에너지물질은 4-나이트로벤젠다이아조늄(4-nitrobenzenediazonium), 4-나이트로아닐린(4-nitroaniline), 2,4-다이나이트로아닐린(2,4-dinitroanilne), RDX(Cyclotrimethylene trinitramine, TNA)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-에너지물질 복합체 제조 방법
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제1항, 제2항, 제5항 및 제6항 중 어느 한 항의 제조 방법에 따라 제조된 탄소나노튜브-에너지물질 복합체로,표면이 균일하고 수직 정렬된 탄소나노튜브; 및상기 탄소나노튜브의 표면에 일정한 두께로 결합되어 있는 에너지물질;을 포함하고,상기 탄소나노튜브 총 중량에 대하여 상기 에너지물질을 80 중량% 이상으로 담지된 것임을 특징으로 하는 탄소나노튜브-에너지물질 복합체
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제 7 항에 있어서, 상기 에너지물질은 4-나이트로벤젠다이아조늄(4-nitrobenzenediazonium), 4-나이트로아닐린(4-nitroaniline), 2,4-다이나이트로아닐린(2,4-dinitroanilne) 및 RDX(Cyclotrimethylene trinitramine, TNA)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-에너지물질 복합체
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