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그래핀을 성장시키고자 하는 대상물 상에, 탄화금속막을 형성하여 제1 구조체를 준비하는 단계; 상기 제1 구조체를 열처리하여 상기 탄화금속막 양측 표면에 그래핀을 형성함으로써 제2 구조체를 형성하는 단계; 및상기 탄화금속막과 그 상부 표면에 성장된 그래핀을 제거하는 단계를 구비하는 탄화금속막을 이용하여 그래핀을 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 탄화금속막은 니켈 탄화물, 구리 탄화물, 게르마늄 탄화물, 코발트 탄화물, 루테늄 탄화물, 백금 탄화물 및 이리듐 탄화물로 이루어진 그룹 중 선택된 어느 하나 또는 하나 이상의 조합으로 이루어진 박막을 형성하는 탄화금속막을 이용하여 그래핀을 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 탄화금속막은 스퍼터링(sputtering), 이온빔 보조 증착법(ion beam assisted deposition), 전자빔 증발법(e-beam evaporation) 또는 열증발법(thermal evaporation)을 사용하는 형성되는 탄화금속막을 이용하여 그래핀을 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 탄화금속막은 50 내지 200 nm 두께를 가지는 탄화금속막을 이용하여 그래핀을 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 탄화금속막 제조 시, 공급되는 탄소의 양에 따라 탄화금속막 내에 존재하는 탄소 원자가 5 내지 30 원자%의 농도로 조절되는 탄화금속막을 이용하여 그래핀을 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 탄화금속막은 내부에 존재하는 탄소의 농도에 따라 성장되는 그래핀이 1 내지 3층의 층수로 결정되는 탄화금속막을 이용하여 그래핀을 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 탄화금속막에 탄소를 공급하기 위한 원료는 그래파이트(graphite), 메탄(CH4), 아세틸렌(C2H2), 에틸렌(C2H4), 에탄(C2H6), 프로펜(C3H6), 프로판(C3H8) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 탄화금속막을 이용하여 그래핀을 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 탄화금속막을 형성한 제1 구조체를 불활성 기체 또는 진공 중에서 열처리하여 탄화금속막 상부 또는 기판 표면에 직접 그래핀이 성장되는 탄화금속막을 이용하여 그래핀을 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 열처리는 700 내지 1100℃의 범위 내에서 열처리하는 탄화금속막을 이용하여 그래핀을 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 열처리 과정을 2회 내지 5회의 범위 내에서 반복하여 그래핀의 결정성을 향상시키는 탄화금속막을 이용하여 그래핀을 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 구조체의 탄화금속막 및 탄화금속막 상부에 성장된 그래핀을 금속 식각 용액에 의해 제거하는 탄화금속막을 이용하여 그래핀을 제조하는 방법
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제11항에 있어서,상기 탄화금속막 및 탄화금속막 상부에 성장된 그래핀의 식각 용액은 염화철(FeCl3), 질산(HNO3), 염산(HCl), 황산구리(CuSO4), 질산철(Fe(NO3)3) 또는 이들의 혼합 용액인 탄화금속막을 이용하여 그래핀을 제조하는 방법
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