| 1 |
1
캐소드;상기 캐소드와 마주하도록 상기 캐소드의 상부에 위치된 아노드;상기 캐소드 상에 형성된 에미터;상기 캐소드와 상기 아노드의 사이에 위치되고 상기 에미터와 대응되는 위치에 개구부를 포함하는 게이트 전극;상기 게이트와 상기 아노드 사이에 형성된 절연 스페이서; 및상기 절연 스페이서의 내벽에 형성되고, 상기 절연 스페이서에 비해 2차 전자 발생 계수가 작은 물질을 포함하는 코팅막을 포함하는 엑스선 소스
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 코팅막은 상기 절연 스페이서와 전자가 충돌하여 2차 전자가 발생되는 것을 방지하는 엑스선 소스
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 코팅막은 산화크롬(Cr2O3) 또는 산화티타늄(TiO2)을 포함하는엑스선 소스
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 절연 스페이서는 튜브 형태를 갖는엑스선 소스
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 코팅막은 상기 게이트 전극과 상기 아노드 사이에 노출된 상기 절연 스페이서의 내벽에 전체적으로 형성된엑스선 소스
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 코팅막은 상기 게이트 전극과 상기 아노드 사이에 노출된 상기 절연 스페이서의 내벽 중 상기 게이트 전극와 인접한 일부 영역에 형성된엑스선 소스
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 코팅막은 상기 아노드와 가까워질수록 두께가 감소하는엑스선 소스
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 코팅막은,상기 게이트 전극과 상기 아노드 사이에 노출된 상기 절연 스페이서의 내벽 중 상기 게이트 전극와 인접한 일부 영역에 형성된 제1 막; 및상기 게이트 전극과 상기 아노드 사이에 노출된 상기 절연 스페이서의 내벽 중 상기 아노드와 인접한 일부 영역에 형성되고, 상기 제1 막과 2차 전자 발생 계수가 상이한 제2 막을 포함하는엑스선 소스
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 코팅막은,상기 게이트 전극과 상기 아노드 사이에 노출된 상기 절연 스페이서의 내벽에 형성된 제1 막; 및상기 제1 막 상에 형성되고, 상기 제1 막과 2차 전자 발생 계수가 상이한 제2막을 포함하는엑스선 소스
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 개구부 주변에서 상기 아노드를 향해 꺾어진 형태를 갖는엑스선 소스
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 에미터는 탄소 나노 튜브 에미터인엑스선 소스
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 메쉬 형태를 갖는엑스선 소스
|
| 13 |
13
캐소드;상기 캐소드와 마주하도록 상기 캐소드의 상부에 위치된 아노드;상기 캐소드 상에 형성된 에미터;상기 캐소드와 상기 아노드의 사이에 위치되고 상기 에미터와 대응되는 위치에 개구부를 포함하는 게이트 전극;상기 캐소드의 하부에 위치된 절연 스페이서; 및상기 절연 스페이서의 상부면에 형성되고, 상기 절연 스페이서에 비해 2차 전자 발생 계수가 작은 물질을 포함하는 코팅막을 포함하는 엑스선 소스
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 코팅막은 상기 절연 스페이서와 전자가 충돌하여 2차 전자가 발생되는 것을 방지하는 엑스선 소스
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,상기 절연 스페이서는 플레이트 형태를 갖는엑스선 소스
|
