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증폭기 집적 회로 및 그 설계 방법(MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT AMPLIFIER AND DESIGN METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017002207
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고선형 동작을 제공하는 증폭기 집적 회로가 제공된다. 상기 증폭기 집적 회로는 입력 신호를 증폭하여 증폭 전력을 출력하는 출력 트랜지스터 및 상기 출력 트랜지스터와 기설정된 면적 비율을 갖는 구동 트랜지스터를 포함하고, 상기 면적 비율에 따라 상기 출력 트랜지스터의 입력 구동 전력을 제어하여 상기 출력 트랜지스터가 선형성 영역에서 동작하도록 하는 제어부를 포함할 수 있다.
Int. CL
CPC H03F 1/32(2013.01) H03F 1/32(2013.01)
출원번호/일자 1020150117090 (2015.08.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0022304 (2017.03.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노윤섭 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0806018-14
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1181423-37
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.11.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1181422-92
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.05.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
입력 신호를 증폭하여 증폭 전력을 출력하는 출력 트랜지스터; 및상기 출력 트랜지스터와 기설정된 면적 비율을 갖는 구동 트랜지스터를 포함하고, 상기 면적 비율에 따라 상기 출력 트랜지스터의 입력 구동 전력을 제어하여 상기 출력 트랜지스터가 선형성 영역에서 동작하도록 하는 제어부를 포함하는 증폭기 집적 회로
2 2
제1항에 있어서,상기 제어부는 상기 출력 트랜지스터가 출력하는 상기 증폭 전력의 3차 상호변조왜곡 성분의 크기에 기초하여 상기 입력 구동 전력을 제어하는 증폭기 집적 회로
3 3
제2항에 있어서,상기 제어부는 상기 출력 트랜지스터가 출력하는 상기 증폭 전력의 상기 3차 상호변조왜곡 성분의 크기가 -25dBc 이내가 되도록 상기 입력 구동 전력을 제어하는 증폭기 집적 회로
4 4
제1항에 있어서,상기 출력 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터 중 적어도 하나는 질화갈륨 증폭기인 것을 특징으로 하는 증폭기 집적 회로
5 5
제1항에 있어서,상기 구동 트랜지스터와 상기 출력 트랜지스터의 상기 면적 비율은 1 이하인 것을 특징으로 하는 증폭기 집적 회로
6 6
출력 트랜지스터와 기설정된 면적 비율을 가지며, 상기 출력 트랜지스터와 캐스코드 방식으로 연결되는 구동 트랜지스터의 입력 구동 전력을 상기 면적 비율에 따라 제어하는 단계; 및상기 출력 트랜지스터가 선형성 영역에서 입력 신호를 증폭하여 증폭 전력을 출력하는 단계를 포함하는 증폭기 집적회로의 동작 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 입력 구동 전력을 제어하는 단계는 상기 출력 트랜지스터가 출력하는 상기 증폭 전력의 3차 상호변조왜곡 성분의 크기에 기초하여 상기 입력 구동 전력을 제어하는 증폭기 집적회로의 동작 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 입력 구동 전력을 제어하는 단계는 상기 증폭 전력의 상기 3차 상호변조왜곡 성분의 크기가 -25dBc 이내가 되도록 상기 입력 구동 전력을 제어하는 증폭기 집적회로의 동작 방법
9 9
제6항에 있어서,상기 출력 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터 중 적어도 하나는 질화갈륨 증폭기인 것을 특징으로 하는 증폭기 집적회로의 동작 방법
10 10
기설정된 소스풀 임피던스 및 로드풀 임피던스에 따라 결정되는 트랜지스터의 선형성 영역의 스펙을 계산하는 단계; 및상기 스펙에 따라 고정된 면적 비율을 갖는 적어도 두 개 이상의 상기 트랜지스터를 연결하는 단계를 포함하는 증폭기 집적 회로의 생산 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 트랜지스터를 연결하는 단계는 상기 면적 비율을 이용하여 상기 트랜지스터에 입력되는 입력 구동 전력을 제어하는 단계를 포함하는 증폭기 집적 회로의 생산 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 트랜지스터를 연결하는 단계는 구동 트랜지스터와 출력 트랜지스터의 비율이 1:1
13 13
제11항에 있어서,상기 트랜지스터를 연결하는 단계는 상기 선형성 영역의 스펙에 상응하는 상기 입력 구동 전력이 상기 트랜지스터에 입력되도록 상기 트랜지스터를 연결하는 단계를 포함하는 증폭기 집적 회로의 생산 방법
14 14
제10항에 있어서,상기 트랜지스터의 상기 선형성 영역의 스펙을 계산하는 단계는 상기 트랜지스터의 출력 전력의 3차 상호변조왜곡 성분의 크기에 기초하여 상기 선형성 영역의 스펙을 계산하는 단계를 포함하는 증폭기 집적 회로의 생산 방법
15 15
제14항에 있어서,상기 트랜지스터의 상기 선형성 영역의 스펙을 계산하는 단계는 상기 출력 전력의 상기 3차 상호변조왜곡 성분의 크기가 -25dBc 이내가 되는 상기 트랜지스터의 입력 구동 전력을 상기 스펙으로 계산하는 단계를 포함하는 증폭기 집적 회로의 생산 방법
16 16
제10항에 있어서,상기 증폭기 집적 회로의 출력 전력에 상응하는 상기 소스풀 임피던스 및 상기 로드풀 임피던스를 설정하는 단계를 더 포함하는 증폭기 집적 회로의 생산 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.