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기판;상기 기판 상에 배열된 복수의 나노 로드를 갖는 제1 AlN 층;복수의 나노 로드 사이에 보이드가 존재하도록 제1 AlN 층 상에 배치된 제2 AlN 층;상기 제2 AlN 층 상에 배치되며, 제1 도전형 AlGaN 층을 갖는 제1 도전형 질화물층;상기 제1 도전형 질화물층 상에 배치되며, AlxInyGa1-x-yN(0≤x+y≤1, 0≤y003c#0
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제1항에 있어서,상기 제1 AlN 층은 상기 기판 상에 배치된 AlN 막을 더 포함하며, 상기 복수의 나노 로드는 상기 AlN 막 상에 배열되는 반도체 자외선 발광소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 나노 로드는 상기 기판 상면에 접촉되어 배열되는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 활성층으로부터 생성된 광의 파장(λ)은 250㎚∼300㎚ 범위인 반도체 자외선 발광소자
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제4항에 있어서,상기 복수의 나노 로드의 직경(D)은 450㎚∼650㎚ 범위인 반도체 자외선 발광소자
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제4항에 있어서,상기 복수의 나노 로드의 높이(H)는 200㎚∼2㎛ 범위인 반도체 자외선 발광소자
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제4항에 있어서,상기 복수의 나노 로드의 피치(P)는 상기 나노 로드의 직경과 같거나 크며, 3㎛보다는 작은 반도체 자외선 발광소자
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8
제4항에 있어서,상기 복수의 나노 로드의 간격(d)은 200㎚보다 작은 반도체 자외선 발광소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 나노 로드는 육방 최밀집 패키징(Hexagonal Closet Packing: HCP)으로 배열되는 반도체 자외선 발광소자
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기판;상기 기판 상에 배치되며, 보이드가 그 사이에 존재하도록 배열된 복수의 나노 구조물을 포함하는, 알루미늄(Al)이 함유된 제1 질화물층;상기 보이드가 유지되도록 제1 질화물층 상에 배치된, 알루미늄이 함유된 제2 질화물층;상기 제2 질화물층 상에 배치된 제1 도전형 질화물층;상기 제1 도전형 질화물층 상에 배치되며, AlxInyGa1-x-yN(0≤x+y≤1, 0≤y003c#0
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