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마그네슘 이온의 흡장 탈리가 가능한 마그네슘 전지용 음극, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 마그네슘 전지(NEGATIVE ELECTRODE FOR MAGNESIUM RECHARGEABLE BATTERIES, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND MAGNESIUM RECHARGEABLE BATTERIES INCLUDING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017002219
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마그네슘 이온의 흡장 탈리가 가능한 새로운 개념의 마그네슘 전지용 음극, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 마그네슘 전지에 관한 것이다. 본 발명에 의한 마그네슘 전지용 음극은 마그네슘 이온의 흡장 탈리가 가능하여 종래 마그네슘 전지에서 음극 표면에 형성되는 산화마그네슘 형성을 효과적으로 저해, 제거하여 마그네슘의 증착/용출의 가역성을 높여 이러한 마그네슘 이온의 흡장 탈리가 가능한 음극을 포함하는 마그네슘 전지는 수명 특성 및 충방전 특성이 개선될 수 있다.
Int. CL H01M 4/134 (2010.01.01) H01M 4/04 (2006.01.01) H01M 4/1395 (2010.01.01) H01M 10/054 (2010.01.01) H01M 10/0568 (2010.01.01) H01M 10/0569 (2010.01.01)
CPC H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01)
출원번호/일자 1020150116442 (2015.08.19)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0022011 (2017.03.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.03.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우상길 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 김영준 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 임태은 대한민국 서울특별시 도봉구
4 조우석 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 박민식 대한민국 경기도 수원시 영통구
6 정구진 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이피매그나 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 **길 *,양재DS타워 *층

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-0801305-52
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1259423-85
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0296608-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2020-0005647-17
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0494174-52
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0693469-83
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번호 청구항
1 1
아래 화학식 1로 표시되고 마그네슘 이온의 흡장 탈리가 가능한 마그네슘 전지용 음극[화학식 1] MgxMoy Sz (상기 화학식 1에서 1
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 음극은 XRD 에서 2θ 가 15 내지 25 °범위에서 적어도 2개의 피크가 검출되는 것인 마그네슘 이온의 흡장 탈리가 가능한 마그네슘 전지용 음극
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쉐브렐 구조의 화합물을 제조하는 단계; 및상기 쉐브렐 구조의 화합물에 마그네슘 이온을 삽입하는 단계; 를 포함하는 제 1 항에 의한 마그네슘 이온의 흡장 탈리가 가능한 마그네슘 전지용 음극의 제조 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 쉐브렐 구조의 화합물에 마그네슘 이온을 삽입하는 단계에서는 상기 쉐브렐 구조의 화합물을 양극으로, THF에 PhMgCl 과 AlCl3 가 용해된 용액을 전해액으로 전지를 구성하고, 충방전에 의하여 쉐브렐 구조의 화합물에 마그네슘 이온을 삽입하는 것인 마그네슘 이온의 흡장 탈리가 가능한 마그네슘 전지용 음극의 제조 방법
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제 1 항에 의한 음극; Co3O4, Mn2O3, Mn3O4, MoO3, PbO2, Pb3O4, RuO2, V2O5, WO3, Mg2MnSiO4, TiS2, NiS2, FeS2, VS2, ZrS2, Mo3O4, Mo6S8, Mo6Se8, MoS6Se2, MoB2, TiB2 및 ZrB2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 양극; 및 마그네슘 염; 및 유기 용매를 포함하는 전해질; 을 포함하는 마그네슘 전지
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제 5 항에 있어서, 상기 마그네슘염은 Mg(TFSI)2 이고, 상기 유기 용매는 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르 또는 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것인마그네슘 전지
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제 4 항에 있어서, 상기 전해질은 첨가제를 더 포함하는 것인 마그네슘 전지
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